Hallo alle, Ich habe eine Frage. Ich kenne mich nicht so gut aus mit mosfets, habe jetzt aber schon eine weile rumgesucht und noch keine erklärung gefunden. Wenn man das MSOA diagramm (z.b. Hier auf s.5: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf6727mpbf.pdf) anschaut, warum kann ich dann nur so wenige A durch den mosfet leiten bei hoher Vds und DC Strom? Vorne in den max ratings ist doch angegeben, dass maximal 32a kontinuierlich fließen können, oder?! Wenn man 30A durchleiten würde, dann gäbe es doch auch nur 30x30x0.0017=1,53W verlust im mosfet und das ist ja auch unter den zugelassenen 1,8W. Ich möchte mir einen Schalter bauen mit einem mosfet, der bei 21v bis zu 30A leiten kann. Ist dies also möglich? Viele grüße!
@Kanzler (Gast) http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#SOA_Diagramm >Wenn man das MSOA diagramm (z.b. Hier auf s.5: >http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir...) >anschaut, warum kann ich dann nur so wenige A durch den mosfet leiten >bei hoher Vds und DC Strom? Weil a) die Verlustleistung zu hoch wird und b) das Ding nicht für Linearbetrieb gebaut ist. Ausserdem verwechselst du was. In dem Diagramm ist U_DS angegeben. Das ist die Spannung, die zwischen Drain und Source anliegt! Nicht die, welche an deiner Last anliegt. Die MOSFETs werden für diesen Test im Linearbetrieb betrieben OHNE eine Last am Drain, du willst Schaltbetrieb MIT einer Last am Drain. Siehe Artikel oben. > Vorne in den max ratings ist doch angegeben, >dass maximal 32a kontinuierlich fließen können, oder?! Ja. >Wenn man 30A durchleiten würde, dann gäbe es doch auch nur >30x30x0.0017=1,53W Ja. Dann ist dein MOSFET aber voll durchgesteuert und die Spannung U_DS beträgt nur 30A*17mOhm=51mV. >Ich möchte mir einen Schalter bauen mit einem mosfet, der bei 21v bis zu >30A leiten kann. >Ist dies also möglich? Ja. Aber im duchgeshalteten Zustand fallen die 21V über deine Last ab, nicht dem MOSFET. Dort liegt dein Denkfehler. MFG Falk
Hi Falk, vielen Dank für deine Hilfe! Das habe ich jetzt soweit verstanden. Das kommt ja dann ungefähr hin, dass bei 30A 0.051V abfallen und ich dann noch im zulässigen Bereich bin im SOA Diagramm (müsste ja genau bei der Spitze sein zur Abgrenzung im DC Betrieb). Folglich interpretiere ich das so, dass ich z.B. diesen MOSFET von IRF gut dafür einsetzen könnte. Noch eine Frage am Rande: In was für Fällen würde denn so eine hohe Spannung am MOSFET selber abfallen? Das wäre ja teilweise schon fast ein "Kurzschluss" (bei so niedrigem Rdson). In dem Artikel steht: "In bestimmten Anwendungen werden MOSFETs aber auch im Linearbetrieb eingesetzt, z.B in linearen Endstufen für Audio, Video, elektronischen Lasten und Stromquellen." Aber wo Fallen da so hohe Lasten am MOSFET selber ab? Vielen Dank nochmals!
> Aber wo Fallen da so hohe Lasten am MOSFET selber ab?
Einfachster Fall A-Verstärker mit z.B. 30V Betriebsspannung und 4Ohm
Last in der Drainleitung. Bei Aussteuerung auf 15V an der Last liegen
auch 15V an D-S und es fließt ein Strom von 3,75A, macht 56W am
Transistor.
Danke ArnoR, habe gerade ein bisschen über Verstärker gelesen (hatte keine Ahnung davon vorher). Der Transistor fungiert sozusagen als Spannungsteiler im A-Betrieb, wenn ich das richtig verstanden habe - also muss am Transistor selber diese hohe Spannung abfallen.
Kanzler schrieb: > In was für Fällen würde denn so eine hohe Spannung am MOSFET selber > abfallen? Auch bei einem langsamen Schaltvorgang. Dann spielen die mit Zeiten markierten Kurven im SOA Diagramm eine Rolle. Der Abschaltvorgang bei induktiver Last sorgt übergangsweise für vollen Strom bei voller Spannung am Transistor. Siehe http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm
> Auch bei einem langsamen Schaltvorgang.
Nur zur Vollständigkeit : Dann nimmt man extra Treiber für den FET der
die Gate Kapazität schnell genug umladen kann.
So, ich habe meinen Schalter nun mal konkretisiert und möchte 8 dieser mosfets: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/IRFH9310PBF.pdf In parallelschaltung (damit Rdson möglichst klein) einsetzen. Ist ein p-mos, damit ich den SPST schalter direkt zwischen gate und +17v anbringen kann, also wenn schalter zu dann mosfet leitend wenn Schalter offen dann mit Pulldown-Widerstand gate an gnd und mosfet aus. Könnt ihr mir noch mal Feedback geben, ob es noch ein Problem dabei gibt (evt beim parallelschalten der mosfets, oder bei den ~30A) oder ob ich das so realisieren kann? Danke
>In parallelschaltung (damit Rdson möglichst klein) einsetzen. Ist ein >p-mos, damit ich den SPST schalter direkt zwischen gate und +17v >anbringen kann, also wenn schalter zu dann mosfet leitend wenn Schalter >offen dann mit Pulldown-Widerstand gate an gnd und mosfet aus. Das ist das Verhalten eines N-Mosis, nicht P-Mosi. Bei P-Kanal ist es genau umgekehrt. Ein P-Kanal will eine gegenüber Source negative Gatespannung, um durchzuchalten. Auserdem dran denken, daß Mosfets nur eine begrenzte Ugs erlauben. 17V klingen schon fast wie am Limit.
Mein Fehler, ich wollte sagen, wenn schalter zu, dann mosfet nicht leitend und wenn schalter offen, dann mosfet leitend. Ich möchte die mosfets in der plus zuleitung platzieren, deswegen der pmos. Und der widerstand dann so, dass wenn schalter offen dann noch +7v potential am gate liegt (also -10v an Vgs bei 17v versorgungsspannung). Vgs ist doch bis -20V zugelassen, da dürfte es doch selbst mit -17V (ohne widerstand zwischen gate und gnd) an Vgs keine Probleme geben, oder? Und je höher Vgs desto besser müsste doch Rdson werden? Das mit dem Parallelschalten gibt keine Probleme, oder? - Ich meinte gelesen zu haben, dass bei parallelschaltung manche heißer werden können?
Der schalter sitzt dabei zwischen gate und der versorgungsspannung und der widerstand der dazu dient Vgs zu minimieren (wenn überhaupt) sitzt zwischen Vgs und gnd. Das hatte ich vergessen zu sagen
>Vgs ist doch bis -20V zugelassen, da dürfte es doch selbst mit -17V >(ohne widerstand zwischen gate und gnd) an Vgs keine Probleme geben, >oder? Und je höher Vgs desto besser müsste doch Rdson werden? Ist schon richtig - ich wollte nur drauf hingewiesen haben, weil es schon Threads gab, wo der TO solche Grenzen nicht kannte, und einfach so mal 25V oder so draufjubeln wollte. >Das mit dem Parallelschalten gibt keine Probleme, oder? - Ich meinte >gelesen zu haben, dass bei parallelschaltung manche heißer werden >können? Das mit dem heiserwerden gilt nur für den Linearbetrieb, wo der Mosi also nicht voll durchgeschaltet wird (also irgendwo mitten im SOA-Bereich genutzt wird). Im Schaltbetrieb (also ganz links oder ganz unten im SOA) macht es dagegen keine Probleme (zumindest für Deine Zwecke)
Sehr gut! Damit sind eig alle meine Fragen beantwortet und ich werd jetzt das so umsetzen. Vielen Dank für die vielen hilfreichen Antworten!
Jens G. schrieb: > Das mit dem heiserwerden gilt nur für den Linearbetrieb, Ich dachte, das gilt nur für die Sommergrippe. :-) Gruss Harald
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