Hallo zusammen, ich erstelle momentan eine einseitige Platine für einen H-Brückentreiber mit dem HIP4081. Nun wird in den AN dringend empfohlen, die Serieninduktivität zwischen der Gate-Zuleitung und der Source-Rückkleitung zu minimieren. Klar ist, dass die Leitungslänge möglichst minimal sein sollte. An dem Faktor kann ich aber nichts ändern. Bei einer doppelseitigen Platine könnte man die Leiterbahnen auf Top/Bottom verteilen. Wie minimiere ich die Induktivität bei einer einseitigen Platine am besten? Leiterbahnen nah beieinander legen? Oder komplett auf Leiterbahnen verzichten und 2 Drähte für die Zuleitung nehmen, die dann verdrillt werden? Ich bin für jeden Tipp dankbar. Gruß, Herbert
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Im Prinzip heißt das nur, dass vom Treiber zu den FETs die Leitung nur so lang wie nötig sein sollten und man nicht erst ne Strippe quer durch den Raum zwischen Treiber und FETs legen muss. Was sollte denn z.B. ein Verdrillen der Leitungen vom Gate und Source bewirken? Der Strom vom Source (der nur im geschalteten Zustand fließt) ist ja nicht der Selbe wie der Strom vom Gate (der nur beim Schalten fließt) ;)
Michael Köhler schrieb: > Was sollte denn z.B. ein Verdrillen der Leitungen vom Gate und Source > bewirken? Der Strom vom Source (der nur im geschalteten Zustand fließt) > ist ja nicht der Selbe wie der Strom vom Gate (der nur beim Schalten > fließt) ;) Falsch verstanden: verdrillt werden muss, wenn man das so machen will, die Gateleitung mit der Massezuleitung von Source zum Gatetreiber. Der geschaltete Sourcestrom fliesst nicht über diese Leitung. Gruss Reinhard
Reinhard Kern schrieb: > Michael Köhler schrieb: >> Was sollte denn z.B. ein Verdrillen der Leitungen vom Gate und Source >> bewirken? Der Strom vom Source (der nur im geschalteten Zustand fließt) >> ist ja nicht der Selbe wie der Strom vom Gate (der nur beim Schalten >> fließt) ;) > > Falsch verstanden: verdrillt werden muss, wenn man das so machen will, > die Gateleitung mit der Massezuleitung von Source zum Gatetreiber. Der > geschaltete Sourcestrom fliesst nicht über diese Leitung. > > Gruss Reinhard Genau, trotzdem werden ja nie beide Leitungen den entgegengesetzten Strom oder so führen, vielmehr müsste nach meinem Gedankengang bei fallendem Gate-Signal eine kurzer Abflussstrom über die Source-Leitung fließen und umgekehrt. Die Stromänderungen sind also entgegengesetzt und daher macht verdrillen Sinn, richtig?
Reinhard Kern schrieb: > Falsch verstanden: verdrillt werden muss, wenn man das so machen will, > die Gateleitung mit der Massezuleitung von Source zum Gatetreiber. Der > geschaltete Sourcestrom fliesst nicht über diese Leitung. Achso, ihr meint die Sense-Leitung zum Source. Das hatte ich falsch verstanden (hatte nicht ins Datenblatt geschaut um zu sehen was gemeint war). Wie gesagt würde ich die Leitungen so kurz wie möglich machen und parallel nebeneinander verlegen. Es geht ja nicht nur um die Induktivität dabei sondern auch um die Kapazität (Miller-Effekt!). Verdrillen ist hierbei schlichtweg nicht nötig da sich ja kein Strom gegenseitig dabei aufheben könnte.
Herbert schrieb: > Genau, trotzdem werden ja nie beide Leitungen den entgegengesetzten > Strom oder so führen, Doch. Der Gatetreiber wird ja mit Source und Gate verbunden. Jeder Lade- oder Entladestrom des Gates fließt in beiden Leitungen. Der Schaltstrom des Mosfets sollte dann eine Extraverbindung haben. | | D Gatetreiber ------------------ G ------------------ S Leitungen vom Treiber, | hier kann verdrillen | Leitung für geschalteten Strom Sinn machen
Floh schrieb: > Jeder Lade- oder > Entladestrom des Gates fließt in beiden Leitungen. Hm, beim Entladen kann ich deine Aussage nachvollziehen, da dort dann ja die Gateladung Richtung Source abgeleitet wird. => Ströme entgegengesetzt Beim Laden wird aber doch - Ladungspumpe mal außen vor gelassen - prinzipiell nur die Bootstrap-Kapazität in das Gate umgeladen. Wo fließt da ein Strom über Source?
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