Hallo! ich hätte eine kleine Frage zu MOSFETs. Und zwar geht es darum, die signifikanten Daten eines CoolMOS herunterzuskalieren. In meinem Fall möchte ich ein CoolMOS mit 600V Sperrspannung für 300V Sperrspannung betrachten. Der Durchlasswiderstand wird sich dadurch sicherlich verringern. Aber wie ist das mit der Rückwirkungskapazität Crss? Dürfte die Datenblatt-Kennlinie in Abhängigkeit von UDS gleich bleiben? Oder muss ich die Werte von UDS alle halbieren? Oder ist das beides Blödsinn?^^ Vielleicht könnt ihr mir ja weiterhelfen, wäre super. Besten Dank!
hrf schrieb: > In meinem Fall möchte ich ein CoolMOS mit 600V Sperrspannung für > 300V Sperrspannung betrachten. Der Durchlasswiderstand wird sich > dadurch sicherlich verringern. Warum sollte er das?
> Dürfte > die Datenblatt-Kennlinie in Abhängigkeit von UDS gleich bleiben? Was soll den das bedeuten? Zwischen 300V und 600V sind die Kapazitäten praktisch unverändert.
Rds_on ist abhängig von der Gate-Source-Spannung und der Sperrschichttemperatur. Zu Crss: Schau mal ins Datenblatt vom SPB02N60C3. Auf Seite 10 ist das Diagramm der Kapazitäten gegnüber der Drain-Source-Spannung. Bei Crss tut sich ab 100V Uds nichts mehr.
Sorry, ich glaube, ich habe meine Frage wohl zu unsauber formuliert. Aber danke für die schnellen Antworten! Nochmal zurück zu meiner Frage: Ich habe ein CoolMOS mit 600V Sperrspannung und entsprechendes Datenblatt von Infineon. Den möchte ich in einem 2-Level-Wechselrichter verwenden und die auftretenden Verluste berechnen. Das ist mit Hilfe des Datenblattes auch nicht das Problem. Dem möchte ich aber die Verluste eines 3-Level-Wechselrichter gegenüberstellen, wofür CoolMOS reichen, die für die halbe Sperrspannung ausgelegt sind. Leider gibt es die zumindest von Infineon nicht. Aber mich würde es theoretisch trotzdem interessieren. Dafür müsste ich allerdings die Werte meines 600V-CoolMOS herunterskalieren. Für den Durchlasswiderstand habe ich in der Literatur auch eine Formel gefunden: rdson,skaliert=rdson*(Usperr,skaliert/Usperr)^(1,3) Damit kann ich die Durchlassverluste berechnen, allerdings benötig ich für die Berechnung der Schaltverluste noch die herunterskalierten Werte der Rückwirkungskapazität. Vielleicht habt ihr ja eine grobe Idee, ob/wie sich die verändern dürfte. Ich hoffe, meine Fragestellung ist jetzt etwas verständlicher geworden :). Wenn nicht, sagt gerne Bescheid
Wenn Du keine 300V CoolMOS Typen bekommst, ist der Vergleich doch vollkommen sinnlos, es gibt ja kein Bauteil, dass Du verwenden könntest. Dann geh' doch einfach zu einem anderen Hersteller, z.B. ST, die haben ihre SuperMESH Transistoren für 600V und 300V Uds. Dann kannst Du auch einen sinnvollen Vergleich machen.
Bitte korrigier mich, wenn ich etwas übersehen habe, aber die Leistungs-MOSFETs bei ST gehen auch erst bei 500V los oder? Das Problem ist, dass ich durch die MOSFETs auch noch bis zu 125A effektiv durchjage. Dafür werde ich zwar eh welche parallel schalten müssen, aber ein bisschen sollten die dann ja schon aushalten... Das alles darf ich halt in meiner Bachelor-Arbeit gegenüberstellen. Einmal mit MOSFETs und einmal mit IGBT-Modulen. Obwohl es im 300V-Bereich einfach nichts brauchbares gibt für hohe Leistungen. Und wie man diese 600V-Bauteile (nach wissenschaftlichen Maßstäben) herunterskalieren soll, ist mir ein absolutes Rätsel, bzw. mir fehlt die passende Literatur. Bin da echt ratlos mittlerweile, wie ich da weiter vorgehen soll. Wenn ihr IGBT-Module oder Leistungs-MOSFETs kennt, die für ca. 300V Sperrspannung ausgelegt sind, würde mir das natürlich auch sehr weiterhelfen, dann könnte ich mir das Skalieren sparen. Aber auch da bin ich bisher nicht fündig geworden.
150V bis 400V: http://www.st.com/st-web-ui/active/en/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166 450V bis 650V: http://www.st.com/st-web-ui/active/en/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167
Sorry, irgendwie habe ich an der falschen Stelle gesucht. Besten Dank, das sieht auf den ersten Blick sehr vielversprechend aus :). Weißt du zufällig, ob es auch einen Hersteller gibt, der IGBT-Module herstellt für 300 bis 350V Sperrspannung? Da habe ich bisher nur eins gefunden, das für Plasma-Displays konzipiert ist: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irg6b330udpbf.pdf Frage mich, ob ich den einfach vergleichen kann mit einem IGBT-Modul von Infineon, das für den automotiven Bereich gedacht ist: http://www.infineon.com/dgdl/DS_FS200R07A1E3_3_0.PDF?folderId=db3a304412b407950112b4095af601e2&fileId=db3a304325afd6e001261d03d4e36001 Oder ob der Vergleich doch etwas zu sehr hinkt. Es geht bei meiner Betrachtung übrigens um ein Elektrofahrzeug, mit 10-20kHz wollte ich meinen Wechselrichter takten.
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