Moin, hat jemand von euch irgendwo eine Liste gesehen, in der die Wärmekapazitäten der verschiedenen Gehäuse (TO220, TO246 etc) verzeichnet sind? In den Datenblättern sind ja die Wärmewiderstände alle angegeben, aber nicht immer die dazugehörigen Kapazitäten... Für Kühlkörper usw. kann man sich das ja recht bequem anhand der Masse ausrechnen, aber für die Bauteile selbst wird das schwierig. Irgend ein Protipp? ;)
Philipp X. schrieb: > Moin, > > hat jemand von euch irgendwo eine Liste gesehen, in der die > Wärmekapazitäten der verschiedenen Gehäuse (TO220, TO246 etc) > verzeichnet sind? Wäre eine feine Sache. Allerdings sind schon die Rth abhängig vom konkreten Bauteil (z.B. von der Die Size), das ist bei den Cth nicht anders. Aus einem kommerziellen Automobilprojekt, wo der Cth sehr interessant gewesen wäre, kenne ich die Version: mit Rth rechnen, verzweifelt mit den Augen rollen, trotzdem ausprobieren, geht, Kunde happy. Standardmäßig wird der Cth aber vermutlich nicht mal vom Hersteller bestimmt. Max
Mhm, das ist blöd. Gibts denn nicht wenigstens so ein paar Richtwerte? Also in diesem Datenblatt sind die Werte sogar drin, ich konnte aber keine anderen Bauteile ausmachen, wo das genauso war... http://www.infineon.com/dgdl/SPW52N50C3_Rev1+2+6_PCN12.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d227d4812 Naja, mit den Werten kann man ja immerhin anfangen zu rechnen. Wenn man alleine mit Rth rechnet, dann kann man ja nur auf statischen Betriebszustand auslegen. Bei stark konzentrierter Pulsbelastung wirds dann ja schwierig und recht sinnfrei...
@ Philipp X. (caradhras) >Mhm, das ist blöd. Gibts denn nicht wenigstens so ein paar Richtwerte? Naja, ganz grob könnte man es so versuchen, dass man einen Chip knackt und den Die ausmisst. LxBxH, -> Volumen -> Wärmekapazität von Silizium. Danach das Gleich für die Kühlfahne aus Kupfer. Dann kreativ die Übergangswiderstände schätzen. >Betriebszustand auslegen. Bei stark konzentrierter Pulsbelastung wirds >dann ja schwierig und recht sinnfrei... Dafür gibt es in den meisten Halbleitern den I^2t Wert, den man in den IC pumpen darf.
Meinst du sowas wie Avalanche Energy, oder Repetetive Avalanche Energy beim Mosfet?
Dir Wärmekapazitäten bestimmt sich aus den Materialien. Zuerst das Stueck Silizium mit extrem guter Ankopplung an die Waermequelle. Dann der (Kupfer) Traeger mit schon deutlich schlechterer Anbindung. Und zuletzt die Vergussmasse mit nochmals schlechterer Ankopplung. In den "material data sheets" sind die Mengen angegeben, die braucht amn fuer ROHS. Aus der Menge und der spezifischen Waermekapazitaet der Materialien kannst Du dann einen Anhaltswert bestimmen.
@ Philipp X. (caradhras) >Meinst du sowas wie Avalanche Energy, oder Repetetive Avalanche Energy >beim Mosfet? Nicht ganz. Ich meine den I^2t Wert. Bei THyristoren ist der fast immer angegeben, bei MOSFETs meist nur ein mehr oder weniger definierter maximaler Pulsstrom, leider oft ohne Pulsdauer!
Uwe Bonnes schrieb: > Dir Wärmekapazitäten bestimmt sich aus den Materialien. Zuerst das > Stueck Silizium mit extrem guter Ankopplung an die Waermequelle. Dann > der (Kupfer) Traeger mit schon deutlich schlechterer Anbindung. Und > zuletzt die Vergussmasse mit nochmals schlechterer Ankopplung. In den > "material data sheets" sind die Mengen angegeben, die braucht amn fuer > ROHS. Aus der Menge und der spezifischen Waermekapazitaet der > Materialien kannst Du dann einen Anhaltswert bestimmen. Jein. Wärme entsteht meist an einem Hotspot und nicht flächig im Die. Si ist kein sonderlich toller Wärmeleiter, Moldmasse auch nicht. Der Die kann auf den Leadframe geklebt oder gelötet sein, das macht auch was aus. Die Kernfrage ist letztendlich: überhitze ich mein Si am Hotspot oder nicht. Wenn der TE studiert, könnte er eine nette Studienarbeit daraus machen. Die Ergebnisse dürften einige Leute interessieren, da fällt sicher noch eine schöne Veröffentlichung ab. Beim IEEE Xplore gibt es auch einige Papers dazu (sollten über die nächste Unibib zugänglich sein), z.B. Anghel, C.; Hefyene, N.; Gillon, R.; Tack, M.; Declercq, M.J.; Ionescu, A.-M., "New method for temperature-dependent thermal resistance and capacitance accurate extraction in high-voltage DMOS transistors," Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International , vol., no., pp.5.6.1,5.6.4, 8-10 Dec. 2003 Ein weiteres Suchstichwort könnte "Thermal Impedance" sein. Max
Hmm, leider kann ich da keine Studienarbeit draus machen. Aber hab schon ein paar englischsprachige Papers gefunden: https://www.btipnow.com/course/pdf/bridging_theory_into_practice.pdf http://www.infineon.com/dgdl/smdpack.PDF?folderId=db3a304412b407950112b417b3e623f4&fileId=db3a304412b407950112b417b42923f5 http://www.freescale.com/files/analog/doc/white_paper/BasicThermalWP.pdf Deine Tipps gucke ich mir zuhause mal an ;)
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