FET-Schaltung

[Fragensteller (Gast)]

Hallo Forum,

kann mir jemand sagen welche Spannung ich am Messpunkt dieser Schaltung 
im nicht angesteuerten Zustand zu erwarten habe? Ist das evtl. 1/2 VCC?
Beide Feldeffekttransistoren sind aus der selben Baureihe.

Herzlichen Dank,

F.

[Unwichtig :0 (Gast)]

Es ist ein Kurzschluss.

[Unwichtig :0 (Gast)]

Wen die Schaltung angesteuert ist.Wen nicht ist die Spannung 
Potentialfrei.

[Fragensteller (Gast)]

auch wenn das, bzw. die beiden Gate Anschlüsse nicht angesteuert werden?

Mein Lösungsansatz sah quasi so aus:

Beide FET`s sperren, da sie nicht angesteuert werden und selbstsperrend 
sind.
Dadurch liegt über beide VCC an.
Am Messpunkt hätte ich jetzt 1/2 VCC erwartet, da ja beide FET`s 
sperren. Allerdings ist da noch die Schutzdiode von T1b, die ja in 
Durchlassrichtung ist.

F.

[Fragensteller (Gast)]

ok, vielen Dank.

[Wichtig Deutsch (Gast)]

Wen n schon denn so
potentialfrei ist ein Adjektiv, und wird deshalb klein geschrieben

um fachl. Teil der Antwort
> Wen nicht ist die Spannung Potentialfrei.
die Spannung, die potentialfrei wäre möchte ich mal sehen, muß wohl noch 
erfunden werden, oder ist die Spannung in meinem Kopf über solchen 
Unsinn

@ Fragesteller , wie kann eine U über beiden in Reihe liegenden Tr. 
anliegen wenn einer voll gesperrt ist, oder von wo nach wo misst du 
eigentl.?

[Wichtig Deutsch (Gast)]

das Z an meiner Tastatur hängt leider des Öfteren, also mit der Bitte um 
Nachsicht
z um fachl. Teil   ...

[al3ko (Gast)]

Ist der Messpunkt im nicht angesteuerten Zustand wirklich potentialfrei?


Wenn gegen GND gemessen würde, was zeigt das Oszilloskop dann an?

Ich stehe gerade auf dem Schlauch :/

Danke :)

[Fragensteller (Gast)]

Ich hätte jetzt in meinem jugendlichem Leichtsinn vom Messpunkt nach GND 
gemessen.

F.

[Fragensteller (Gast)]

Danke al3ko, genau das Frage ich mich auch.

[al3ko (Gast)]

Fragensteller schrieb:
> Ich hätte jetzt in meinem jugendlichem Leichtsinn vom Messpunkt
> nach GND
> gemessen.

Ich auch. Und dann würde ich erwarten, dass am Messpunkt mit Bezug zu 
GND VCC anliegt.

[Fragensteller (Gast)]

al3ko schrieb:
> Ich auch. Und dann würde ich erwarten, dass am Messpunkt mit Bezug zu
> GND VCC anliegt.

Aber warum denkst du, dass komplett VCC anliegt?
Es ist ja auch noch der FET T1a zwischen VCC und Messpunkt.

[al3ko (Gast)]

Fragensteller schrieb:
> Aber warum denkst du, dass komplett VCC anliegt?
> Es ist ja auch noch der FET T1a zwischen VCC und Messpunkt.

Ups, anders herum. Am Messpunkt herrscht GND und NICHT VCC :D Hier die 
Begründung:

Weil der FET T1B in Durchlassrichtung geschaltet ist. Soll heißen, die 
interne Bodydiode von T1B würde leiten. Bei T1B wird also nichts 
gesperrt.

Jetzt haben wir zwei Szenarien:

(1) Angesteuert, T1A und T1B leiten:
VCC wird kurzgeschlossen. Einzig strombegrenzende Elemente sind die R_DS 
Widerstände der beiden FETs.

(2) Nicht angesteuert, T1A und T1B sperren:
Leckströme vernachlässigt. T1A blockt VCC gegen GND, weshalb kein Strom 
fließt. Kein Stromfluss bedeutet, dass kein Strom durch die Bodydiode 
von T1B fließt. Das wiederum bedeutet, dass es an T1B keinen 
Spannungsabfall gibt. Ergo kann man eine Masche aufstellen, die wie 
folgt lautet:

$$V_CC = V_{T1A}+V_{T1B}$$

mit V_T1B=0 folgt

$$V_CC=V_{T1A}$$

Da der Messpunkt am Source des FETs T1A ist, folgt Messpunkt = GND

So sieht es jedenfalls in meinem Kopf aus :D

Sorry für die Verwirrung ;)

[Helmut S. (helmuts)]

Am Messpunkt kann nie mehr als die Diodenflussspannung gemessen werden.

Die abgebildete Schaltung ist doch sinnlos.
Was soll sie denn tun? Das VCC-Netzteil kurzschließen?

[al3ko (Gast)]

Helmut S. schrieb:
> Am Messpunkt kann nie mehr als die Diodenflussspannung gemessen
> werden.
Ich bezweifle, dass überhaupt die Diodenflussspannung gemessen werden 
kann. Denn im angesteuerten Zustand ist T1B durchgeschaltet. Aufgrund 
der relativ schlechten Eigenschaften der Bodydiode haben wir quasi eine 
Parallelschaltung zwischen dem Kanal des FETs und der Bodydiode. Als 
erste Näherung kann man sich also einen niederohmigen Widerstand zu 
einem hochohmigen Widerstand vorstellen. Der Spannungsabfall dieser 
Parallelschaltung wird m.E. durch den niederohmigen Widerstand bestimmt.

Gruß

[MaWin (Gast)]

> im nicht angesteuerten Zustand

Was bitteschön meinst du damit ?

0V oder Eingang offen ?

Bei offenem Eingang -> beliebig von hochohmig bis Kurzschluss

Bei 0V: Beide sperren, sind ja schliesslich beides NMOSFETs.
CMOS geht anders.

[al3ko (Gast)]

MaWin schrieb:
>> im nicht angesteuerten Zustand
>
> Was bitteschön meinst du damit ?
>
> 0V oder Eingang offen ?
Guter Hinweis. Ich ging von 0V aus.

> Bei offenem Eingang -> beliebig von hochohmig bis Kurzschluss
Zustimmung, deshalb würde ich einen Pull-Down Widerstand am Gate 
empfehlen.

> Bei 0V: Beide sperren, sind ja schliesslich beides NMOSFETs.
Ja, MOSFETs sind im gesperrten Zustand. Dennoch wird der gesperrte 
Zustand von T1B durch die Bodydiode aufgehoben. Oder stimmst du mir da 
nicht zu?

[Helmut S. (helmuts)]

> CMOS geht anders.

Hier mit funktionierendem Beispiel für LTspice.

Beitrag "CMOS Technologie"

[MaWin (Gast)]

> Dennoch wird der gesperrte
> Zustand von T1B durch die Bodydiode aufgehoben. Oder stimmst du mir da
> nicht zu?

Beide MOSFETs haben eine Bodydiode,
und die verhindert, daß der Messpunkt über VCC+0.7V und -0.7V 
hinausschwebt, dazwischen aber Floating ist