Hallo Zusammen, wie Sie im Anhang sehen Können, habe ich einen Idee für Optimierung der Schaltverlust entworfen und zwar funktioniert gut. Die obere Schaltung ist Standard Schaltung und untere ist entwickelte Schaltung. Ich will gerne wissen, ob diese Idee überhaupt richtig ist und funktioniert auch im Realität? sollte ich es verbessern? wie? Da gibt es auch ein Problem: ich habe bei obere Mosfet U3 Überspannung. Ich weiß, dass diese Überspannung wegen sehr schnelle Schalt Geschwindigkeit verursacht wird. hab versucht den Gate widerstand von U3 höher machen aber hat wenige Wirkung. Wie kann ich Überspannung vermeiden ohne zusätzliche Verluste rein bringen? Vielen Dank Nina
Ich brauche Standard Schaltung zum vergleichen, ob die Verluste optimiert geworden.
... ist es möglich die Aufgabenstellung noch etwas präziser zu beschreiben, damit es einfacher wird genauere Antworten zu geben. Ist die eingestellte Lib auch die verwendete ?! ... LTspice startet es nicht .. https://www.youtube.com/watch?v=ajcYYwoHF0g https://usermanual.wiki/Document/Wolfspeed20SiC20Mosfet20LTspice20Model20Quick20Start20Guide2020Rev20202020Feb202018.141260354.pdf
Carlo schrieb: > ... ist es möglich die Aufgabenstellung noch etwas präziser zu > beschreiben, > damit es einfacher wird genauere Antworten zu geben. ich sollte einen Schaltung entwerfen, die Schaltverluste von SiC Mosfet im Vergleich von Standard Schaltung weniger macht. Deswegen habe ich zwischen dem Treiber und Gate Anschluss eine Nmos gelassen, um die Gate widerstand weniger zu werden und gleichzeitig Geschwindigkeit zu erhöhen. Carlo schrieb: > Ist die eingestellte Lib auch die verwendete ?! ... LTspice startet es > nicht .. ja ist das
nina schrieb: > Die obere Schaltung > ist Standard Schaltung Standard für was? Zeig mal nen Link, wo diese verwendet und beschrieben wird. nina schrieb: > hier die Bilder zum Schaltung Auf dem linken ist aber nichts zu erkennen.
Peter D. schrieb: > Standard für was? > Zeig mal nen Link, wo diese verwendet und beschrieben wird. eigentlich muss man sagen, dass es keine Standard Schaltung ist sondern Eine Doppelpulsverfahren Schaltung ohne Hilf-Schaltung (Nmos) ist. Peter D. schrieb: > Auf dem linken ist aber nichts zu erkennen hier habe ich versucht eine bessere Bild zu machen.
lib uups my fault ... Schrift war so klein .lib ** \lib\sub\C3M0016120K.lib .. genauere Simulations-Plots mit dem Pkt der gezeigt werden soll würden auch noch weiterhelfen.
Carlo schrieb: > .. genauere Simulations-Plots mit dem Pkt der gezeigt werden soll würden > auch noch weiterhelfen. ich hoffe es gut zu sehen ist. Standard Schaltung: V(Drain, Source) V(Drain)*Ix(U2) Mosfet mit Hilf- Schaltung an Gate Anschluss: V(Drain_Bot, Source_Bot)
..schon besser Zur besseren Verständlichkeit die einzelnen Blöcke und ihre Funktion in einem Blockdiagramm zusammenfassen siehe S12 hier .. https://eu.industrial.panasonic.com/sites/default/pidseu/files/pan_18047_whitepaper_gan_web.pdf https://www.tf.uni-kiel.de/etit/LEA-download/dl-open/veroeff_2010/wittig_isie_01.pdf
Das ist ein ähnliches Problem, dass ich in meiner eigenen Halbbrücke habe. Ziel ist es die Kommutatorpfade Niederinduktiv zu halten, was auch helfen kann ist parralel zum Elko einen Snubbercap einzufügen der die Schwingungen dämpfen kann. Auch sehr ich keine Freilaufdioden, womit der Strom dann einfach zwischen den Leiterindukticitäten und den parasitären Kapazitäten hin und herschwingt zwischen den Schaltvorgängen.
Carlo schrieb: > Zur besseren Verständlichkeit die einzelnen Blöcke und ihre Funktion in > einem Blockdiagramm zusammenfassen siehe S12 hier .. > https://eu.industrial.panasonic.com/sites/default/pidseu/files/pan_18047_whitepaper_gan_web.pdf > > https://www.tf.uni-kiel.de/etit/LEA-download/dl-open/veroeff_2010/wittig_isie_01.pdf hier ein Bild mit Blöcken! External Gate_Widerstand: dämpft Ringing in Gate_Source Spannung und Drain_Source Spannung M1: bringt hohere Geschwindigkeit beim Einschalten und Ausschalten. Sein RDSon ist 7.2 miliohm. Wenn positive Puls von Treiber kommt, M1 ist Aus und die Bodydiode leitet der Strom. Wegen seines zu niedrigen RDSon leitet statt R16 maximale Strom zu Gate Anschluss von SiC Mosfet. Wenn negative Puls kommt, M1 ist Ein und leitet. Dann zieht die Gate Strom von SiC Mosfet schnel ab und SiC Mosfet wird sehr schnel ausgeschaltet. Problem: die obere Mosfet hat Überspannung beim Ausschalten. Wie kann ich es vermeiden ohne zusätzliche Verluste rein bringen? und ich will gerne wissen, ob diese Schaltung im Real funktioniert? wenn nein,wie kann ich die ändern?
Alexander S. schrieb: > Ziel ist es die Kommutatorpfade Niederinduktiv zu halten, was auch > helfen kann ist parralel zum Elko einen Snubbercap einzufügen der die > Schwingungen dämpfen kann Hi Alexander, Es ist auch eine Lösung. aber ich sollte meine Schaltung ( in Bild 2 gelbe Kästchen ) so entwerfen, dass es selber alles in Ordnung bringt. Alexander S. schrieb: > Auch sehr ich keine Freilaufdioden, womit der > Strom dann einfach zwischen den Leiterindukticitäten und den parasitären > Kapazitäten hin und herschwingt zwischen den Schaltvorgängen meinst du die Body Diode von SiC Mosfet? Die sind da aber das Mosfet-Symbol zeigt es nicht.
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