Hallo ich habe folgendes Problem... ich möchte Relais schalten mit MOSFETs ... angesteuert werden die FETs von einem I²C Expander (PCF8575) ... dieser kann leider nur wenig High treiben, deshalb kann ich die Schaltung rechts (REL2) nicht verwenden.... Die Schaltung links (REL1) sollte ja therotisch funktionieren... wenn PCF8575 GND ist am Ausgang --> REL an wenn PCF high (+5V) ist am Ausgang --> REL aus ... das funktioniert aber nicht.... das Relais ist stetig an was mache ich falsch? Danke für hilfe Gruß... Tobias
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> angesteuert werden die FETs von einem I²C Expander (PCF8575) > dieser kann leider nur wenig High treiben Da dürfte das Problem liegen. Wie hoch ist denn die Ausgangsspannung und Wann schalten die Transistoren durch? Das sollte man in den entsprechenden Datenblättern finden. Wofür ist der 100k Widerstand jeweils? Hat der IC Tristate Ausgänge?
> Zitat NXP: "... needs a strong pull-up.". Jedenfalls der 8574.
Dann dürfte da das Problem liegen.
Im rechten Bild ist ein Pull-Down.
Pull-Up am I²C sind 10k an SCL und SDA... das ist nicht das Problem... der Expander macht alles wie er es soll.. hab ich versucht mit Oszi und PICKit... aber das Relais geht nicht aus.. Der 100k links zwischen Source und Gate soll dafür da sein um den FET "auszuschalten" wenn kein GND vom PCF kommt.
also das ganze Problem ist, das vom PCF +5V kommen... würde der den Ausgang offen legen würde es gehen... ich werde noch nen NPN vor den MOSFET klatschen glaub ich...
Was gegen den mehrfach erwähnten Pullup auf 5V am Ausgang spricht, habe ich immer noch nicht verstanden. Dann würde REL2 auch mit npn statt FET funktionieren und die Kiste würde 20 cent billiger..
> ich möchte Relais schalten mit MOSFETs ... angesteuert werden die > FETs von einem I²C Expander (PCF8575) ... dieser kann leider nur > wenig High treiben, deshalb kann ich die Schaltung rechts (REL2) > nicht verwenden.... Die Schaltung links (REL1) sollte ja therotisch > funktionieren... Dass die linke Schaltung nicht funktiniert, ist offensichtlich, da der High-Pegel am Ausgang des PCF8575 nur 5V und nicht 12V ist, was aber erforderlich wäre, um den MOSFET zu sperren. Aber warum sollte die rechte Schaltung nicht funktionieren? Der schwache High-Pegel des PCF führt doch höchstens dazu, dass der MOSFET etwas langsamer einschaltet, was aber bei einer Relaisansteuerung keine große Rolle spielt. Hast du diese Schaltung mal ausprobiert?
Selbst das Einschalten des N-Kanal-MOSFETs dauert nicht lange, da der PCF für einen halben SCL-Zyklus einen kurzen "transient pull-up current" von mindestens 0,5mA liefert, was bei der geringen Gate-Kapazität des MOSFETs von 50pF völlig ausreichend sein dürfte.
[[Port-Expander PCF8574]] Relais mit Logik ansteuern Der 8575 ist der grosse Bruder vom 8574. Man schaue auf Seite 8 des Dateblattes. Bei HIGH bringt der IC nur ca. 100uA. u=I*r = 100uA * 100k = 10V OK, reicht. ABER am Ausgang kommen max. 5V raus. Reicht für einen kleinen BSS123, ist ausserdem ein Logic Level MOSFET. Die rechte Seite sollte funktionieren. Die 100K sind aber überflüssig, weil so oder so der Ausgang nicht floated.
ich komm einfach nicht dahinter.. ich steh grad aufm schlauch... ich muss mit low -pegel ansteuern da ich mit dem PCF nur 1mA High treiben kann... davon abgesehn sinds insgesamt 16 Relais die angesteuert werden. Hat einer ne idee... hatte nun einen BC817 vor das Gate gehängt (Collector auf GND und Emitter an Gate von MOSFET).. hat im Multisim funktioniert aber auf PCB wills nich.. die Pegel sind schei** ... naja... Danke wenn einer helfen kann.
> ... das funktioniert aber nicht.... das Relais ist stetig an
Bist du sicher, dass du auch wirklich einen Schreibbefehl zum PCF
schickst?
> hatte nun einen BC817 vor das Gate gehängt (Collector auf GND und > Emitter an Gate von MOSFET).. hat im Multisim funktioniert aber auf > PCB Ist das ein Schreibfehler, oder willst du den BC817 tatsächlich invers betreiben? Wo hast du den Widerstand jetzt angeschlossen? Wenn du den BC817 in Emitterschaltung betreiben willst, muss der Emitter an GND, der Kollektor an das Gate und vom Kollektor ein Widerstand an +12V. Der Widerstand vom Gate an GND muss weg. Trotzdem bietet diese Schaltung meiner Meinung nach keine wesentlichen Vorteile gegenüber der Variante mit dem N-Kanal-MOSFET (s. auch meine vorigen Beiträge). Im Gegenteil: Du brauchst dafür mehr Bauteile, und der dauerhaft fließende Basisstrom des BC817 ist höher als der Gatestrom des MOSFETs, belastet also den Ausgang des PCF stärker, wenn auch nicht zu stark. Wenn du zu lange Schaltzeiten beim Einschalten des N-Kanal-MOSFETs befürchtest, kannst du auch einen externen Pullup-Widerstand vom Ausgang des PCF nach 5V legen, um den High-Strom zu erhöhen.
hajo... ich versuch grad ein wenig mit Multisim... Ergebnis poste ich nachher hier mal... ich bräuchte quasi nen FET o.ä. mit dem ich mit Logik-Pegel +12V schalten kann... hab hier zwar schon einiges gefunden aber das is alles nicht so das wahre oder.
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also ich hab mit Multisim bissel gespielt und gleich mal PCB gefräst dann... es funktioniert jetzt... Schaltung im Anhang.... ist daran was auszusetzen? auf jeden Fall funktioniert das nun so wie gewollt. Gruß Tobi
Jetzt hast du halt das vemeintliche High-Stromproblem umgedreht. Der der High-Strom am Gate ist zwar riesig (bis zu 100mA), dafür der Low-Strom nur maximal 500µA (wegen dem 10k-Winderstand), d.h. der MOSFET schaltet schnell ein und etwas langsamer aus. Würdest du T1, R33 und R32 weglassen, ginge das Ausschalten schnell und das Einschalten etwas langsamer. Wobei, wie ich schon oben geschrieben habe, dieses "etwas langsamer" bei einer Relais-Ansteuerung, bei der vielleicht einmal pro Sekunde umgeschaltet wird, keine Rolle spielt. Die meiste Zeit ist der MOSFET entweder leitend oder gesperrt, und während dieser Zeit fließt kein Gatestrom, der irgendetwas an der Ansteuerschaltung belasten könnte. Nicht dass der falsche Eindruck entsteht: Deine Schaltung ist so schon in Ordnung, nur eben unnötig kompliziert.
yalu wrote: > Die meiste Zeit ist der MOSFET > entweder leitend oder gesperrt Was soll er denn sonst sein :)
@ Daniel V. (volte) >> Die meiste Zeit ist der MOSFET >> entweder leitend oder gesperrt >Was soll er denn sonst sein :) Halbleitend, ist ja schliesslich ein Halbleiter . . . SCNR Falk
>>> Die meiste Zeit ist der MOSFET >>> entweder leitend oder gesperrt > >> Was soll er denn sonst sein :) > > Halbleitend, ist ja schliesslich ein Halbleiter . . . Ja, genau. Ich würde "halbleitend" in diesem Fall aber eher auseinanderschreiben. Halb leitend ist der MOSFET für kurze Zeit während des Umschaltens. Vielleicht hätte ich statt "leitend" besser "voll durchgesteuert" geschrieben. Da es sich hier aber um eine Schaltanwendung handelt, habe ich gedacht, dass das kürzere "leitend" in diesem Fall als Synonym für das längere "voll durchgesteuert" akzeptiert wird. Nicht? :)
>Würdest du T1, R33 und R32 weglassen, ginge das Ausschalten schnell >und das Einschalten etwas langsamer. >Nicht dass der falsche Eindruck entsteht: Deine Schaltung ist so schon >in Ordnung, nur eben unnötig kompliziert. Genau so ist es, so wie yalu es schrieb! Nimm deine allererste Schaltung, die rechte, und schließe an REL2 deinen Expander direkt oder von mir aus über 100 Ohm an. Lass R32 auf 100k. Fertig. Gut. Alles andere kostet nur Geld - ohne weiteren Nutzen. Mit 100µA Strom schaltet ein Logic-Level-Leistungs-FET mit einigen nF Gatekapazität im Bereich einiger 100µs ein! Der BSS mit nur 50pF und (wegen R32) nur 50µA Strom ist in wenigen µs durchgeschaltet.
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