Hi, kann mir jemand eine Erklärung geben, warum eigentlich die Kanallänge mit steigender UDS Spannung kürzer wird ( z.B. bei Mosfet) vielen Dank und Gruß S.
P.S. kurze Antwort reicht - studiere E-Technik - also paar Grundlagen sind da :)
Kurze Antwort: Die Gatespannung zieht die Kanalladungsträger an, die Spannung von Drain nach Source transportiert die Ladungsträger ab. Sobald, vereinfacht gesagt, die Querbeschleunigung von Drain nach Source grösser wird, als die Anziehung vom Gate, kommt es zum Pinch-Off des Kanals. (UDS,SAT in der Kennlinie). Von da an verkürzt sich die wirksame (effektive) Kanallänge und der Strom steigt weiter an. Hoffe, das hilft Dir weiter. Gruss Andre
Genauer (dafür muss man aber das Prinzip des MOS-Kondensators kennen): Das Potential zwischen Drain (D) und Source (S) ist eine Funktion des Weges (y). Direkt bei D ist das Potential (S negativ, D positiv) am höchsten. Folglich ist dort die Potentialdifferenz zwischen Gate (G) und der Substratseite (p-Si z.B....also dort wo sich der Kanal bildet) am kleinsten. Die Ladungskonzentration hängt aber direkt von der Potentialdifferenz der beiden "Kondensatorplatten" ab. Foglich nimmt die Ladungsträgerkonzentration von S nach D ab. Formel: Q(y) = C * [ (V_gs - V_th) - V(y) ] Q(y): Ladung pro Fläche bei y C: flächenbezogene Kapazität der Oxidschicht V_gs: Gate-Source Spannung V_th: Threshold-Spannung V(y): Potential (entland D-S) an der Stelle y Gruß
oh...ich les grad, dass du garnicht wissen möchtest, warum er schmäler, sondern warum er kürzer wird. ignorier meine Antwort einfach ;)
da man nicht editieren kann kommt jetzt eben der dritte post: Rein qualitativ ist meine Antwort natürlich richtig... an den Stellen, wo das Potential V(y) größer als die Gatespannung wird, ist die Potentialdifferenz der beiden Seiten des MOS-Kondensators kleiner Null. Der Kondensator befindet sich nichtmehr im Bereich der Inversion und es werden an diesen Stellen keine freien Ladungsträger mehr vorhanden sein. Grüße
So wie du das erklärt hast ist es meiner Meinung nach richtig ;) Inversion wird schwach wegen der Potentialdifferenz zwischen Gate und Drain
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