Hallo, ich simuliere gerade eine Schaltung mit einem Mosfet drin. Ich versuche mich gerade ein wenig an die Verluste ranzutasten. Dem Forum hier konnte ich schon einige Informationen entnehmen, aber so einige Fragen sind noch offen. Im Datenblatt sind ja immer minimale Rise- und Fall-Zeiten angegeben. Egal wie gut die Ansteuerschaltung ist, diese Zeiten gibt es immer beim Schalten. Meine Frage dazu wäre nun, wie genau hierbei die Simulationen sind. Ich habe hier im Forum Formeln gefunden, wie man die gesamte Verlustleistung am Mosfet berechnet. Dazu werden auch die Rise- und Fall-Zeiten benötigt. Kann man diese Zeiten aus den Simulationen entnehmen oder dient das eher nur als Schätzwert. Ich persönlich hätte jetzt gesagt, dass man die Schaltzeiten erst sinnvoll ermitteln kann, wenn man die Schaltung einmal aufgebaut hat. Rechnet mann dann zur ersten theoretischen Ermittlung der Verlustleistung mit Schätzwerten oder lässt man das weg oder......oder.... Kennt sich jemand in dieser Materie aus und kann mal die ein oder andere Erläuterung dazu geben? Vielen Dank. Besten Gruß Mark
die im DB angegeben Zeiten beziehen sich in der Regel immer auf eine bestimmte Testschaltung. In manchen Blättern ist die mit angegeben, in manchen anderen nicht. Wenn das Gate ordentlich schnell durchgeschaltet wird (z.B. mit entsprechender Treiberschaltung), kannste sicherlich in etwa mit den angegebenen Zeiten rechnen. Wie die Simulationen jetzt damit umgehen, kann ich aber leider nicht sagen. Aber ich denke mal, die werden für eine gegebene Schaltung wohl auch relativ verläßliche Werte ausgeben, wenn die Transistorparameter bekannt sind.
Hallo, vielen Dank. Ich habe mit dem Simulieren auch noch nicht die Erfahrung. Ich frage mich halt immer, wie genau das ist, weil die Modell der Bauteile ja eben auch nur Modelle sind und nicht 100%ig die Realität wiederspiegeln. Bei den Schaltflanken spielt doch auch sicher das Layout später eine Rolle!? Ich glaube ich werde dann mal ungefähr mit den Werten aus dem Datenblatt rechnen. Ich nehme dann noch eine kleine Reserve dazu. Besser etwas mehr Verluste berechnen als anfallen, als umgekehrt denke ich. Mark
Naja, in der Realität ist ja auch nicht alles genau so, wie es im Datenblatt steht, deswegen werden dort eben auch min/max oder typ. Werte angegeben, weil die Werte von Exemplar zu Exemplar desselben Typs auch kräftig streuen können. Deshalb denke ich, daß eine Simulation genau genug sein sollte (zumindest für die meisten Fälle)
Die Simulation hat den Vorteil, dass sie das Verhalten des MOSFETs für unterschiedlichste externe Beschaltungen ermittelt, während einige der im Datenblatt angegebenen Parameter (insbesondere die Anstiegs- und Abfallzeiten) sich auf eine ganz spezielle Testschaltung beziehen und in anderen Kontexten sehr stark variieren können. Gerade die Schaltverluste hängen ja nicht nur von Schaltzeiten, Maximalspannung und -strom ab, sondern auch vom zeitlichen Spannungs- und Stromverlauf während des Umschaltens und damit sehr stark von der zu schaltenden Last. Diese Verläufe lassen sich aus den Parametern und Diagrammen im Datenblatt nur sehr schwer errechnen. Geht man von vereinfachenden Annahmen aus (bspw. linearer Spannungs- und Stromverlauf), kann das Ergebnis schon einmal um den Faktor 2 oder 3 falsch liegen. Da ist die Simulation sehr viel genauer, obwohl auch sie die Realität natürlich nicht exakt widerspiegelt.
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