Hallo, die Treiberstufe im Anhang habe ich im Datenblatt des MC34063 gefunden, meine Frage ist jedoch wie schnell ist die? packt die ein paar kHz? Sollte ja da der Schaltregler sonst nicht funktioniert. Kann vielleicht mir jemand die Schaltung erklären? Mein Verständniss der Schaltung ist so: Steueranschluss low = pnp-Transistor schlürft das Gate des FETs leer Steueranschluss High= Spannung rennt über Diode in Gate des FETs. Nur wird im Umschaltmoment der Transistor nicht ebenfalls kurzzeitig leitend und zieht Strom? Falls mich jemand hier ein klein wenig Aufklären kann wäre ich Dankbar. Alexey
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Verschoben durch Admin
Ja. Beim Ausschalten arbeitet der T als Emitterfolger und beim Einschalten geht der STrom über die Diode. Jeder Transistor zieht beim Schalten Strom. Ein stromgesteuerter Bipolar ständig und ein spannungsgesteuerter FET zum Umladen des Gate. Wie schnell eingeschaltet werden kann hängt ab von dem Strom, den der 34063 liefern kann. Wie schnell ausgeschaltet werden kann, hängt vom Strom des 34063 und der Stromverstärkung des Treiber-T ab. Allzu hohe Frequenzen bekommt man damit wohl nicht hin, weil vor allem das Einschalten recht lange dauern dürfte. ansonsten kann man den treiber auch was aufpeppen wie in Beitrag "Schaltnetzteil: -700V" oder direkt nen richtigen FET-Treiber...
Wäre nett wenn jemand das bestätigt/widerlegt: Der Treiber beschleunigt nur das ausschalten. Das Einschalten wird weiter von der vorherigen Treiberstufe (Ausgang MC34063) übernommen. Zusätzlich ist es etwas langsamer, weil die Diode 0.7V frisst. Sinnvoller wäre eine volle totempole Schaltung, die schnell ein-/ausschaltet.
Ja, z.B. sowas wie die UCC37321/2 von TI. Habe ich schon problemlos bis 500kHz eingesetzt. Sehr schön auch der erste Satz auf Seite 7 des Datenblattes! ;-))
avion23 wrote: > Das Einschalten wird > weiter von der vorherigen Treiberstufe (Ausgang MC34063) übernommen. > Zusätzlich ist es etwas langsamer, weil die Diode 0.7V frisst. Das Einschalten wird auch durch den R verlangsamt, weil ein Teil seines Stromes durch ihn nach GND fliesst und nicht aufs Gate, d.h. das Gate erhält die Ladung langsamer als ohne R. Zudem werden B-E- und B-C-Sperrschicht-Kapazität des Transistors mit Ladung gefüttert, was weiter verzögert.
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