Hallo Ich hätte da eine reine theoretische Verständnisfrage zum MOSFET. Ich verstehe einfach nicht wie es genau zu diesem Effekt der Kanalabschnürung kommt. Ich habe schon einige Erklärungen gelesen, aber kann diese einfach nicht unter einen gemeinsamen Hut bringen. Einmal liegt es an der maximalen Elektronengeschwindigkeit, dann am Potentialunterschied Vds, dann an der Ausdehnung der Raumladungszone im Draingebiet... Im Endeffekt ist sicherlich alles richtig, doch wie korreliert das alles miteinander? Ich hoffe ihr könnt mir helfen und Licht ins Dunkel bringen... Gruß Markus
Im erklären dieser Sache bin ich schlecht aber vielleicht erleuchtet dich die folgende Laboranleitung ein wenig http://www.et.fh-duesseldorf.de/home_lauffs/schaltung/downloads/fet.pdf Unter 1.1 ist das Thema erklärt.
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