Tag zusammen, ich hab mal wieder ein Problem. Und zwar gehts um MOSFET. Ich habe bisher die Dinger immer wie im folgenden Beispiel berechnet ob sie für meine Anwendung was taugen. Beispiel: I = 10 A R(on) = 0.02 Ohm Pd = 2.5W R(JA) = 50 °C/W ==> P = I^2 * R(on) = 2 W also OK da P < Pd ==> dT = P * R(JA) = 2 W * 50 °C/W = 100°C also erwärmt sich das Ding bei 10A um 100°C prima also nehm ich ihn. ( Vgs spielt hier erstmal keine Rolle, da es nicht zur nachfolgenden Frage dazu gehört). Nun hab ich aber einen MOSFET (http://www.fairchildsemi.com/ds/FD%2FFDD5614P.pdf) der hat folgende Daten. Im Anhang hab ich die wichtigen nochmals zusammengefasst. I = 15 A R(on) = 0.1 Ohm Pd = 42 W + (3.8 W || 1.6 W ) R(JA) = 96 °C/W bzw 40°C/W wenn ich nun wie oben vorgeh ... passt was nicht :( ==> P = I^2 * R(on) = 22.5 W ==> dT = P * R(JA) = 22.5 W * 96 °C/W = 2160 °C ich versteh die Thermal Resistance Angaben iwie nicht richtig. Was mach ich falsch? Denkfehler? wie warm wird das Ding bei 15A und 0.1 Ohm? Stimmt mein Beispiel überhaupt? Wer kann/will mir helfen :)
Das darfst du als dezente Aufforderung verstehen, einen Kühlkörper einzusetzen. Dann zählt nicht mehr Rja sondern Rjc+Rkk (vereinfacht).
>Stimmt mein Beispiel überhaupt? Nein. Ohne nachzurechnen: Das passt schon. >==> dT = ... = 2160 °C Hier musst du schlussfolgern, dass der Rth zu hoch ist. Somit brauchst du einen Kühlkörper. (Falls das bei der Bauform geht)
danke für die Antworten. aber ... >>Stimmt mein Beispiel überhaupt? > Nein. Ohne nachzurechnen: Das passt schon. ... stimmt der Gedankengang mit Rechnung nun oder nicht? :) (Nein ==> Nein) (Das passt schon ==> JA) ?!? bzgl Kühlkörper wird schwer. Das ist ein TO-252 Gehäuse ... SMD ... und da n Kühlkörper mit den entsprechenden Werten zu finden/einzusetzen is ja nicht unbedingt lustig. Und n Kühlkörper sollte eigneltich auch nicht hin ... daher wollt ich das ja berechnen. Dann such ich mir wohl n andren. Das hätte ich auch gleich machen können, aber dann wär ja diese überaus interessante Frage nicht gestellt worden :P Der Rds(on) hat ja eh voll gesuckt. Danke
Bei MOSFET gibt es auch noch die Möglichkeit mehrere parallel zu schalten. Verringert die Verlustleistung und teilt selbige noch auf mehrere Bauteile auf. Gruß Mandrake
Dass da ein Kühlkörper hin muss kann man sich auch so denken wenn da schon 22.5 W am FET verheizt werden. Da würd ich auf jeden Fall was mit kleinerem Rds_on raussuchen.
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