Guten Morgen :) Weiß jemand, wie hoch der Kanalwiderstand zwischen Drain und Source bei einem ausgeschalteten MOSFET ist? Datenblätter sagen dazu ja nichts, weil das wohl keine Info ist, die man normalerweise benötigt. lg Gast
Je nach MOSFET-Typ ist es sehr klein oder sehr groß. OK, wenig hilfreich, ich gebs ja zu. Ich geh immer davon aus, dass so ein N-Channel Enhancement im Off-Zustand einige Megohm hat, das habe ich heute durch zufall auch mal nachgemessen am BS270. Mein Multimeter zeigte mir einen Off-Widerstand von mehr als 25 Megaohm an. Es ist aber zu bedenken, dass der Offwiderstand natürlich von der DS-Spannung abhängig ist.
Beim RFP12N10L von Fairchild seteht "Zero Gate Voltage Drain Current" 1µA bei 65V, das macht dann nach Adam Riese, äh, Herrn Ohm 65MOhm! Das dürfte so etwa die Grössenordnung sein, mit Exemplarstreuung und Temperaturabhängigkeit ist zu rechnen!!
Ich denke da sind die Leckströme der Bodydiode entscheidend. Aber rayelec hat dir schon einen guten Hinweis gegeben. Gruß Mandrake P.S.: Für welche Anwendung ist das denn so wichtig?
Wichtig ist das natürlich wenn man eben Widerstände im Megaohm-Bereich hat, die geschaltet werden sollen. Dann ist der der RDS(off) wichtig, wäre ja doof wenn ich einen 10 MOhm Widerstand ausschalten will und mein MOSFET hat als RDS(off) wegen z.B. Umgebungsbedingung nur 2 MOhm ;)
> 1µA bei 65V, das macht dann nach Adam Riese, äh, Herrn Ohm 65MOhm! Der Herr hieß Adam Ries, nicht Riese - so groß war der sicherlich auch wieder nicht ... (http://de.wikipedia.org/wiki/Adam_Ries)
Hallo Michael, dann nenn mal lieber die ganze Anwendung. Megaohm-Widerstände umzuschalten ist nicht ganz einfach. Der RDS-Widerstand des FET ist nur einer der Gründe. Ein anderer Grund sind Leckströme auf der Platine oder die parasitären Kapazitäten bei höheren Frequenzen Vielleicht läßt sich bei Deinem Problem das Schalten der Widerstände ganz umgehen. Wenn Du unbedingt Megaohm-Widerstände umschalten willst, bietet sich evtl. auch ein Relais an. Gruß, Michael
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