Hallo, ich lese gerade wie Dotierungsprofile im Halbleiter durch die Diffusion eingestellt werden. Dabei wird über die Temperatur die Prozessschnelligkeit eingestellt. Ich überlege nur, wenn man danach die Temperatur wegnimmt, wird ja Diffusion an sich nur verlangsamt. Im Prinzip müsste nach 10^n Jahren Halbleiter soweit sich durchgemischt haben, dass es seine Funktion nicht mehr übernehmen kann. Hat jemand mal mehr oder weniger grob abgeschätzt wie lange das dauern könnte? Dazu kommt noch, dass viele Halbleiter im Betrieb heisslaufen, also die Diffusion wieder angekurbelt wird. Grüsse, daniel
daniel wrote: > Hat jemand mal > mehr oder weniger grob abgeschätzt wie lange das dauern könnte? Wie du schon schriebst: bei Zimmertemperatur 10^N Jahre. > Dazu kommt noch, dass viele Halbleiter im Betrieb heisslaufen, > also die Diffusion wieder angekurbelt wird. Nun darfst du noch genau einmal raten, warum Halbleiter im Betrieb nicht zu heiß werden dürfen. ;-) Nur so: die Diffusionsöfen arbeiten bei deutlich höheren Temperaturen als das, was als maximale Betriebstemperatur dann auftreten darf.
Zumindest bei der Ionenimplantation reicht es nicht aus, die Fremdatome einfach nur in den Kristall zu schießen. Anschließend ist ein weiterer kurzer Temperaturschritt nötig, um die Fremdatome auch einzubinden, und den Kristall wieder auszuheilen. Ich denke, das wird bei der Diffusion ähnlich sein. Die gebundenen Fremdatome werden dann nicht mehr so leicht ausdiffundieren.
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