Hallo, habe folgendes Problem: ich habe mir von der Infineon-Hompepage eine Library von einem IGBT-Bauteil mit thermischen Modell runtergeladen. Es läuft auch soweit und über die Variable TJ kann ich auch das Schaltverhalten in Abhängigkeit der Temperatur simulieren. Nun möchte ich aber TJ nicht per Hand einstellen oder mit PARAMS: TJ = 27 übergeben, sondern über 2 zusätzliche Knoten Vtjunc Vtnull von aussen eine Spannung vorgeben, die TJ entspricht. Meine Frage, wie bringe ich den Spannungswert in die Variable TJ ?? Habe schon alles mögliche probiert, funktioniert einfach nicht. Wer kann mir helfen ? Gruß Walter .SUBCKT SIGC156T120R2CQ Collektor Gate Emitter Vtjunc Vtnull X1AFS Collektor Gate Emitter Vtjunc Vtnull L7xxxQ1 PARAMS: Atotal = 1.585 A=1.326 Rg = 5 .ENDS .SUBCKT L7xxxQ1 Collektor Gate Emitter Vtjunc Vtnull PARAMS: Atotal = 0.1 A=0.1 Rg = .5 .PARAM TJ = 27 . .
Solange TJ nur in Formeln von E-oder G-Quellen auftaucht, könnte man TJ durch V(vtjunc) ersetzen. Es gibt übrigens Power-Mosfet Modelle von Infineon mit solchen Temperaturanschlüssen.
Hallo, vielen Dank, habe TJ in den E-Quellen ersetzen können, aber leider gibt es noch den Gatewiderstand RG1 der temperaturabhängig ist RG1 Gate g_t {Rg/(((TJ + t0)/300)**EMU)} Hat jemand eine Idee, wie man hier TJ ersetzen kann ?? Gruß Walter
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