Welche Funktion haben die Transistoren Q1b & Q2b im Design (http://www.mikrocontroller.net/attachment/53333/Bruecke.PNG)? Es handelt sich um einen Brückengleichrichter.
Q1a und Q2b meinste doch sicher? Die sind dann einfach nur Dioden. Anode ist der Kollektor, Kathode Basis+Emitter.
Die Schaltung habe ich simuliert. Tausche ich die Transistoren gegen BAT54 aus, ist die Ausgangsspannung erheblich niedriger. @Maximilian Was hat der Transistor mit der Darlingtonschaltung zu tun?
Da werden transistoren als Ersatz für Dioden benutzt. Die Kollektor-basis Diode hat in der Regel einen sehr geringe Leckstrom. Als Ersatz also eher so etwas wie 1N4148 oder BAV199.
Hallo, das ist eine sehr trickreiche Schaltung die einige Probleme hat. Aufgabe der Ansteuerschaltung ist es kurze Einschaltimpulse für die unteren Mosfets zu erzeugen. Nur im Maximum der Sinuswechselspannung dürfen die unteren Mosfets eingeschaltet werden. Wären die länger oder zur falschen Zeit eingeschaltet, dann entlädt die Wechselstromquelle deinen Lade-C wieder. Du musst Q1a und Q1b auf gleiche Spannung der Ucb-Didoe aussuchen(Ibc=200Au bis 300uA). Noch besser wäre es wenn Ucb von Q1a ein bisschen kleiner ist als Ucb von Q1b, aber nur wenige 10mV. Wenn das nicht passt, dann gibt es die benötigeten kurzen Impulse nicht. Q1b muss im Inversbetrieb arbeiten. Deshalb wird Ucb von Q1a als "Referennz" verwendet. Hier ergibt sich nun das Problem, dass Ube mit bis zu 6V revers betrieben wird. Das ist eigentlich eine ganz schlecht Sache. Im Datenblatt steht da meisten maximal 5V. "Alte" Transistortypen halten mehr aus. Wenn es zum Durchbruch kommt, führt das langfristig zur Verringereung der Stromverstärkung des Transistors. Miss mal die Durchbruchspannung verschiedener Transistortypen und nimm die welche am meisten(>8V) aushalten. Miss mal den 2N22222. Testschaltung: 10k Voriderstand und Netzteil. In der Simulation sah das am besten aus, wenn alle Widerstände 22k sind. Die Funktion lässt sich gut mit einem Oszi nachprüfen, wenn man die Impulse am Gate der unteren Mosfets und die Ausgansspannung anschaut.
Die Schaltung beruht darauf das über dem Mosfet Q3 die Spannung gemessen wird und sobald Uds negativ ist wird er angesteuert. Q3 verhält sich jetzt wie eine Diode mit extrem kleiner Flussspannung. Q1a ist als Diode geschaltet um Ubc von Q1b zu kompensieren. Es ist deshalb wichtig das beide vom gleichen Typ sind. Noch besser ist es den in der Schaltung angegebenen Doppeltransistor in einem Gehäuse zu verwenden. @Helmut Den Inversbetrieb von Q1b mit mehr als 5V hatte ich für unkritisch gehalten weil R2 den Strom auf 100uA begrenzt. Er verhält sich in diesem Fall wie eine Z-Diode mit 8V. Kannst du einen Strom abschätzen ab dem es kritisch wird? Alternativ ist es natürlich möglich Q1b und Q2a wie in der Schaltung im Anhang zu betreiben. Der einzige Nachteil ist das sich die Kompensation um wenige mV verschlechtert.
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