Hallo, ich habe vor, eine Betriebsspannung zu schalten, wie im Anhang zu sehen. Ich wollte einen P-Typ suchen mit niedrigem RdsON (IRF7416). Wenn ich es richtig verstehe, schalte ich EIN mit einem 0V-Pegel und AUS mit 5V, direkt aus dem uC-Port? (P-Mosfet) Wieviel Spannung wird von den 5V übrig bleiben bei 400mA?
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So habe ich es auch erst verstanden, die Frage ist nur, ob der schon "voll leitend" ist bei 5V bzw. mit welchem Rds ich dann ca. rechnen muß. Im Anhang mal das Datenblatt..
> Wenn ich es richtig verstehe Das hast du richtig verstanden. Ich würde dir allerdings noch einen 10-100 kOhm Pullup vom Gate nach 5V vorschlagen, denn dein uC hat im Reset einen hochohmigen IO-Pin. Und damit hinge das Gate irgendwo zwischen 0V und 5V. Mit dem Pullup ist der Fet sicher abgeschaltet. > Wieviel Spannung wird von den 5V übrig bleiben bei 400mA? Uds = Rds*I = 0,035 Ohm * 0,4A = 0,14V Also bleiben dir im schlechtesten Fall von 5V etwa 4,85V über. EDIT: > ob der schon "voll leitend" ist bei 5V Ja, das isser bei diesem Strom.
Also wenn 0.02 Ohm so stimmt, dann verliere ich nur 0.4x0.02=0.008V Und es blieben mir 4,992V ? Wäre ja optimal..
aber wenn du 10 V unterschied hast zwischen Drain und Gate sind aber nur 5V deshalb -> 0,035 Ohm 0,035 Ohm x 0,4A = 0,014V also 4,986V :P
Ich denke, es ist eher die Frage, wofür das gut sein soll. 5V mit 5V schalten, dabei noch Verluste produzieren. Dann nimm doch gleich die 5V vom µC-Port... Aber egal, es ist Dein Projekt! Zum Thema "Durchschalten mit 5V": Hierbei kommt's außerdem darauf an, welchen Strom Du benötigst, oder besser gesagt, ob Dein MOSFET mit dem Strom, den der Port maximal liefern kann, auschreichend schnell durchschalten kann.
Sry für Doppelpost ich meinte die spannung zwischen Gate und Source
@Lothar Ok, den Pullup werde ich einbauen. Aber einer von uns hat nen Kommafehler und ich hab nicht darauf geachtet, daß da noch ein zweiter Wert (0.035) steht. Also neue Rechnung: 0,014V Spannungsabfall, 4,986V bleiben übrig? Aber an welchen Wert im Datenblatt sehe ich, ab wann er "voll durchgeschaltet" ist? Ich dachte, es hängt eher von der gatespannung ab, Du schreibst aber "bei diesem Strom.."
> Du schreibst aber "bei diesem Strom.."
Ja eben, hab ich doch geschrieben. Es hängt auch vom Gatestrom ab, wie
gut der MOSFET durchschaltet.
Außerdem sind diese Datenblattangaben für RDS(on) eh nur Hausnummern...
@Schlaule: 400mA bekomme ich wohl kaum aus dem uC Port, jedenfalls nicht aus dem AVR. @alle Ihr seid so schnell.. :-)
> @Schlaule: 400mA bekomme ich wohl kaum aus dem uC Port, jedenfalls nicht > aus dem AVR. Das meinte ich ja. Wenn Du mit deiner Dimensionierung 400mA Gatestrom brauchen würdest, um den MOSFET voll durchzusteuern, wird's eher schwierig... :-)
Schlaule schrieb: > Ja eben, hab ich doch geschrieben. Es hängt auch vom Gatestrom ab, wie > gut der MOSFET durchschaltet. Eher von der Gatespannung. Wenn der statisch nennenswert Gatestrom kriegt hängt davon nix mehr ab.
>> Ja eben, hab ich doch geschrieben. Es hängt auch vom Gatestrom ab, wie >> gut der MOSFET durchschaltet. > Eher von der Gatespannung. Wenn der statisch nennenswert Gatestrom > kriegt ist er hinüber. Aha, und wofür verwendet man dann sog. Gatetreiber? Doch wohl um im Eischaltmoment einen satten "Strombums" auf das Gate zu geben, damit die Gatekapazität schnell ausgeräumt wird, resp. der MOSFET schnell eingschaltet wird.
@mosfet: Damit hier nicht zuviel Verwirrung mit Gate-Strömen und ähnlichem ensteht: Wie oft möchtest du den Mosfet ein- und ausschalten? Wenn nur ab und zu (d.h. maximal etwa 1000mal pro Sekunde), brauchst du dir um Schaltzeiten, Gate-Kapazitäten, -Ströme und -Treiber überhaupt keine Gedanken zu machen. Falls du mit höheren Frequenzen arbeitest: Wie hoch sind diese? > Aber an welchen Wert im Datenblatt sehe ich, ab wann er "voll > durchgeschaltet" ist? Wirklich voll durchgeschaltet ist er natürlich erst, wenn Ugs maximal (also 20V) ist. Man spricht aber auch dann schon von "voll durchgeschal- tet", wenn sich der Mosfet im so genannten ohmschen Bereich befindet. Das ist in Abb. 1 des Datenblatts der Bereich auf der linken Seite des Diagramms, wo die Kennlinien eine konstante Steigung haben. In diesem Bereich verhält sich die Drain-Source-Strecke des Mosfets fast wie ein Widerstand, deswegen auch die Angabe Rdson in Ohm. Bei Ugs=-4,5V ist Rdson=35mΩ, was man auch aus dem Diagramm ablesen kann, bei -10V nur noch 20mΩ und bei -15V nur noch 15mΩ. Ob du jetzt aber einen Spannungs- abfall von 400mA·35mΩ=14mV oder 400mA·15mΩ=6mV hast, sollte eigentlich keine Rolle spielen. Warm wird der Mosfet in beiden Fällen nicht, und der Unterschied der Ausgangsspannungen (also 5V minus Spannungsabfall) beträgt gerade einmal 0,16%.
Schlaule schrieb: >> Eher von der Gatespannung. Wenn der statisch nennenswert Gatestrom >> kriegt ist er hinüber. > Doch wohl um im Eischaltmoment einen satten "Strombums" auf das Gate zu Wenn dein Einschaltstrombums statisch wird, dann hast du ein Problem. > Es hängt auch vom Gatestrom ab, wie gut der MOSFET durchschaltet. Davon hängt ab, wie schnell er durchschaltet. Nicht jedoch, wie gut er durchschaltet. Es sei denn es wird so schnell aus- und eingeschaltet, dass er nicht mehr mitkommt.
danke yalu, das war eine gute Erklärung. Ich schalte nur alle paar Sekunden oder sogar Minuten.
>> Doch wohl um im Eischaltmoment einen satten "Strombums" auf das Gate zu > Wenn dein Einschaltstrombums statisch wird, dann hast du ein Problem. Dann wärs ja kein transienter Vorgang mehr. Einen konstanten Impuls gibt's ja nicht... >> Es hängt auch vom Gatestrom ab, wie gut der MOSFET durchschaltet. > Davon hängt ab, wie schnell er durchschaltet. Nicht jedoch, wie gut > er durchschaltet. Es sei denn es wird so schnell aus- und eingeschaltet, > dass er nicht mehr mitkommt. OK, hier hab ich "schnell" und "gut" vermischt. Aber welch anderes Bewertungskriterium für Durchschalten soll es sonst noch geben, außer schnell?
Schlaule schrieb: > Aber welch anderes Bewertungskriterium für Durchschalten soll es sonst > noch geben, außer schnell? Uds in Abhängigkeit von Id und Ugs. Bei kleinem Ugs kann man da nicht einfach Rds(on) einsetzen.
>> Aber welch anderes Bewertungskriterium für Durchschalten soll es sonst >> noch geben, außer schnell? > Uds in Abhängigkeit von Id und Ugs. OK, 1:0 für Dich! Das mit dem Linearbetrieb war mir jetzt nicht so präsent. Ich komm mehr aus der Stromrichterei, das kommts halt auf kurze Schaltzeiten an.
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