Hallo Zusammen, ich möchte gern den im Datenblatt beschriebenen MOSFET zum Schalten eines Relais verwenden. Testschaltung: Dabei sitzt am Drain ein 1kOhm Widerstand und an diesem 3,3V Betriebsspannung. Am Source liegt GND und am Gate ein Rechtecksignal mit 5V Amplitude und 1kHz. Leider schaltet der MOSFET bei anlegen des Rechtecksignal nicht, entsprechend des Taktes an dem Gate, gegen GND. Weiß jemand einen Rat? Vielen Dank, Hans.
Wenn der zum Schalten eines Relais diesen soll, wieso liegt dann im Drain ein 1k Widerstand? Bei gerade mal 3,3V ergibt das 330µA - davon schaltet wohl kein Relais. Ich verstehe auch nicht, wie ein Relais einem 1kHz-Signal folgen soll.
Nein, natürlich soll das Relais nicht bei einem Takt von 1kHz schalten. Dies dient nur zu Testzwecken ohne Relais, ob der MOSFET überhaupt schaltet. Später kommt da ein PIN vom µC dran, der den MOSFET schalten soll und somit der Relaisspule am Drain den GND zur Verfügung stellen soll.
>Leider schaltet der MOSFET bei anlegen des >Rechtecksignal nicht, entsprechend des Taktes an dem Gate, gegen GND. Wie hast du das gemessen? Ansonsten kann ich mich meinem Vorredner nur anschließen. Schöne Grüße, Alex
Mit dem Oszi am Drain gegen GND. Da müsste ja klar und deutlich beim Schalten des MOSFET der PEgel von High auf Low gehen.
Auf Seite 2 des Datenblatts ist eine Testschaltung dargestellt. Wenn man den R_L mit 1kOhm versieht sowie in Reihe zum Gate einen 12kOhm an einen Rechteckgenerator schaltet, müsste der MOSFET doch durchschalten bei einer Amplitude von 2V, oder?
Hallo Hans, vieleicht hast den FET schon zerschossen... Diese kleinen Fet's reagieren ziemlich empfindlich auf ESD. Gruß Ludger
und wenn Du das Relais schon mal dran hattest, und zwar ohne Freilaufdiode, dann könnte er inzwischen auch dadurch bereits gestorben sein.
Eine Freilaufdiode habe ich selbstverständlich parallel zur Relaisspule geschalten. Ich werde jetzt den MOSFET mit einer LED und einem 560Ohm-Widerstand am Drain gegen +3,3V und einem 1kOhm-Widerstand an Gate gegen +2,7V legen, Source liegt an Ground. Laut meinem Verständnis müsste die LED beim Anlegen einer Spannung an Gate leuchten... ;-) Ansonsten ist der MOSFET durch. Es wird ja wohl möglich sein diesen Transistor auszutesten... Hier nochmal zum grundlegenden Verständnis: http://www.sprut.de/electronic/switch/nkanal/nkanal.html
naja - deine Schaltung ist ja schon fast die einfachste Schaltung zum testen. Auch einfach: einfach R-Meßgerät zw. Drain/Source hängen (200Ohm-Meßbereich oder so), und an Gate z.B. 5 bis 10V gegenüber Source schalten. sollte ein rel. geringer Rdson zw. D und S meßbar sein. Wenn G und S kurzgeschlossen, sollte (fast) Unendlich meßbar sein (vielleicht geringer Reststrom im höheren MOhm-Bereich). Und zw. G und D bzw S sollte ebenfalls Unendlicher R meßbar sein (im ausgebauten Zustand, wenn es ein "normaler "Mosfet ist)
Angehängte Dateien:
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Relaissteuerung.jpg
77 KB
@Jens G. Wenn ich etwa +5V an das Gate gegen Source schalte fließt ein Strom von 65mA in das Gate und der R_DS hat etwa 3MOhm. Pole ich U_GS um, also -5V, so ist R_DS etwa 14MOhm und I_G ebenfalls 65mA. Im Anhang ist meine Relaisschaltung. An die Stelle Relais_OFF_J2 und Relais_ON_J2 sitzen die µC-Ports, die eine Relaisspule bei einem High-Pegel gegen GND schalten sollen. Am Anfang wollte ich dies mit bipolaren Transistoren realisieren. Da die Ports des µC bei einem Ausgangspegel (High) von 2,4V einen max. Strom von 80µA treiben, bin ich auf den oben angegebenen MOSFET umgestiegen. Der Grund der gegen die Verwendung von bipolaren Transistoren spricht ist, dass die Ports den benötigten Basisstrom zum Schalten der Transistoren nicht liefern und somit der Pegel am µC einbricht. Ich weis erstmal nicht mehr weiter, kann mir jemand helfen??? Mein Ziel ist doch nur, dass ich die Relais schalten kann, sobald ein High-Pegel an der Basis bzw. am Gate anliegt.
Hallo Hans, 65mA ins Gate -- da ist der FET kaputt. Das Gate ist extrem hochohmig, und damit SEHR empfindlich auf ESD. Gruß Ludger
Oh man, das ist ja echt ärgerlich. Das Merkmal eines MOSFET ist ja gerade das "stromlose" Schalten der DS-Strecke bei Anlegen einer GS-Spannung.
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