Über einen µC steuer ich einen Treiber-IC an, der P/N-Kanal MOSFETs schalten soll. Das Ganze darf ruhig "gemütlich" passieren, soll heißen, gutes EMV-Verhalten ist wichtiger als schnelle Schaltvorgänge. Qg ca. 100nC/20nC Sind da 100 Ohm ok, oder gehen auch noch 1k Widerstände?
@ Fall Out (fall-out) >Über einen µC steuer ich einen Treiber-IC an, der P/N-Kanal MOSFETs >schalten soll. Sag mal genauer, was da geschaltet wird. > Das Ganze darf ruhig "gemütlich" passieren, soll heißen, > gutes EMV-Verhalten ist wichtiger als schnelle Schaltvorgänge. Jaja, das mag sein. Aber wenn dir dabei die MOSFETS abkochen ist das auch eher uncool. >Sind da 100 Ohm ok, oder gehen auch noch 1k Widerstände? Dann kannst du den Treiber gleich weglassen und direkt per Logikgatter und schlechtem Pegelwandler schalten. MFG Falk
max. schalten die MOSFETs 5A, keine PWM oder sonstiges. Oft schalten sie zudem auch nicht. Logikgatter haben ich keine gefunden (kaufbar) die mir über 9V schalten können, deswegen den Treiber.
@ Fall Out (fall-out) >max. schalten die MOSFETs 5A, keine PWM oder sonstiges. Welche Spannung? Siehe Netiquette!!! >Logikgatter haben ich keine gefunden (kaufbar) die mir über 9V schalten >können, deswegen den Treiber. Eine einfacher Pegelwandler mit Open Collektor sollte reichen. Einfach und preiswert. MFG Falk
Spannung wird max. 6V sein. Die Treiber haben schon ihren Sinn, der Stromverbrauch soll minimal sein, da Batteriebetrieb.
@ Fall Out (fall-out) >Spannung wird max. 6V sein. >Die Treiber haben schon ihren Sinn, der Stromverbrauch soll minimal >sein, da Batteriebetrieb. Es gibt auch CMOS. Der HEF4104 ist dein Freund. Zumal man bei 6V auch noch ein klassiches HC/HCT Gatter ganz normal nutzen kann. Die gibt es auch einzeln als Single Gates im SOT23 Gehäuse. MfG Falk
Ok, sagen wir mal, ich liebe diesen Treiber und da wir verheiratet sind, muss ich ihn verwenden. Kommen wir wieder auf meine Frage zurück: Kann man als Pi*Daumen Wert, oder kann mir jemand aus seiner Erfahrung (mir fehlt sie in dieser Hinsicht, deswegen ja auch die Frage) sagen, dass wenn ich keinen Wert auf ultraschnelles Schalten lege, 100-1000 Ohm Gatewiderstände mir ein gutes EMV-Verhalten bescheren? Bei den oben genannten Gate Kapazitäten? Klar kann man da alles Mögliche ausrechnen, aber die Schaltzeiten etc. sagen mir (ohne Messung in ner EMV-Kammer) dann auch nichts aus. Brauch einfach nur mal nen Anhaltspunkt.
@ Fall Out (fall-out) >Kann man als Pi*Daumen Wert, oder kann mir jemand aus seiner Erfahrung >(mir fehlt sie in dieser Hinsicht, deswegen ja auch die Frage) sagen, >dass wenn ich keinen Wert auf ultraschnelles Schalten lege, 100-1000 Ohm >Gatewiderstände mir ein gutes EMV-Verhalten bescheren? Pi mal Daumen, ja. Wobei das eh nicht messbar ist, wenn du nur selten schaltest. Die kurzen Peaks siehst du gar nicht bei der Messung auf dem Spektrumanalysator. >Brauch einfach nur mal nen Anhaltspunkt. Nimm 1K und gut. MFG Falk
Ich verwende meist 47R bis 100R, da machst du nichts falsch. Sogar ein 100A IGBT schaltet eine PWM mit 1-2kHz völlig verlustfrei mit einem Rg von 100R. Allerdings liegt die Gatespannung bei mir immer zwischen 12-15V. Von CMOS Bausteinen als Treiber kann ich nur abraten, da diese dafür nicht geeignet sind, höchstens mit ner B-Endstufe hinter. Aber wofür gibt es denn günstige Treiber (IR21XX)?! Gruß Knut
>Ich verwende meist 47R bis 100R, da machst du nichts falsch. Sogar ein >100A IGBT schaltet eine PWM mit 1-2kHz völlig verlustfrei mit einem Rg Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-) >Von CMOS Bausteinen als Treiber kann ich nur abraten, da diese dafür >nicht geeignet sind, höchstens mit ner B-Endstufe hinter. Aber wofür CMOS ist üblicherweise B-Endstufe. OK, meist nicht für hohe Leistung, aber für gelegentliches Schalten im unteren kHz-Bereich isses nicht verkehrt - je nach CMOS-Reihe. Aber egal - wie Falk schon meinte - wenn der Mosi mit 5V klarkommt, selten geschaltet wird, und ein LogicLevel-Typ ist, dann kann der µC den Mosi direkt via 1k ansteuern - auch bei 30A.
>Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper >adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-) Hab ich mir auch grade gedacht ^^ Der Treiber-IC scheint mir generell etwas deplaziert zu sein. Schon bei der Aussage, dass gemütlich geschaltet werden darf, zeugt ja eigentlich davon, dass man nicht wirklich hohe Schaltströme braucht. Einen IRFZ44 und ähnliche, die durchaus mal ihre 5A schalten sollen und das mit so ein/zwei Kiloherz, da käme ich nicht mal auf die Idee nach dem µC einen Treiber-IC oder ähnliches zu verschwenden. Nimmt doch nur Platz weg auf der Platine.
Wie gesagt, den Treiber kann ich problemlos mit Spannungen über 9V betreiben, der Platzbedarf ist mir Jacke wie Hose und der Rest steht irgendwo übendrüber im Thread!
Ja, oben steht, dass du den Treiber verwendest weil du möglichst wenig Strom verwenden/verbrauchen willst. Den Mosfet einfach über einen 1k-Widerstand direkt an den µC anschließen würde dir den Stromverbrauch nochmal senken (Strom wird nur noch beim Schalten benötigt), der Treiber selbst wird ja auch ein wenig Strom brauchen und das nicht nur beim Schalten.
>Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper >adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-) Etwas falsch ausgedrückt... => Der MOSFET/IGBT wird nicht warm!
Michael schrieb: > Ja, oben steht, dass du den Treiber verwendest weil du möglichst wenig > Strom verwenden/verbrauchen willst. Den Mosfet einfach über einen > 1k-Widerstand direkt an den µC anschließen würde dir den Stromverbrauch > nochmal senken (Strom wird nur noch beim Schalten benötigt), der Treiber > selbst wird ja auch ein wenig Strom brauchen und das nicht nur beim > Schalten. 3,3 V reichen leider nicht bei Source-Drain-Spannung > 3,3 V
>3,3 V reichen leider nicht bei Source-Drain-Spannung > 3,3 V
Wieso das denn? Wahrscheinlich hat dein Mosfet ein Vto von weit über 3V.
Wie die Drain-Source-Spannung ausschaut ist für die Ansteuerung völlig
egal. Ob das nun 1V ist oder 100V, solange der Mosfet für diese Spannung
ausgelegt ist und er eine Vto von z.B. 2.5V hat kann man den ohne
Probleme mit 3.3V schalten.
Ok, vll falsch beschrieben von mir. Ist ein P-Kanal der nicht gegen Masse schaltet. Erst wenn Ugate > Uth+Uds sperrt er voll.
Hm, also bei mir schalten P-Kanale auch nicht gegen Masse sondern i.d.R. gegen positive Betriebsspannung. Aber jeder verschaltet ja anders. Beim µC gehts bei mir immer auf einen Pegelwandler und dann erst auf das Gate des eigentlichen FETs (oder die Basis des Bipolartransistors).
>>Huiiii - gibts inzwischen schon verlustfreie Teile ??? Kühlkörper >>adeeeee (oder wie man das sonst schreibt ;-) >Etwas falsch ausgedrückt... => Der MOSFET/IGBT wird nicht warm! Auch falsch ausgedrückt. Es sind trotzdem K oder mK oder µK oder nK, um die er sich erwärmt (ok - will heute mal nicht so kleinlich sein ;-)
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