Hallo, wie kann ich einen Mosfet (20n60c2) mit einem Ohmeter (digitales Multimeter) statisch testen. Bei einem Transistor habe ich damit kein Problem. Aber Mosfet ??? Kann ich den dabei zerstören ? Ich bin leider in der "Bipolaren" Welt groß geworden... DS
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Verschoben durch Admin
Einen Test (CMOS-sicher/ESD) mit der Durchgangsprüfer-Funktion eines Digital-Multimeters wird er aushalten: Source und Gate verbunden, positive Seite des DMM an Drain = sollte hochohmig ergeben, negative Seite des DMM an Drain = sollte ca. 0,7V (pn-Übergang) sein. Das Gate muss gegenüber den anderen Elektroden hochohmig sein. negative Seite des DMM an Source, positive Seite des DMM dabei kurz an an Gate halten (Gate positiv aufladen), dann die positive Seite des DMM sofort danach an Drain halten = sollte niederohmig sein, weil er durch die positive Ladung des Gate einigermaßen ein/durchgeschaltet sein sollte. mfG ffje
Der pn-Übergang der parasitären Diode parallel zur Drain-Source-Strecke des FETs.
Sicher hat ein Mosfet PN-Übergänge, auch wenn die Kontakte nicht unbedingt in der Leitfähigkeit betrieben werden. Ebenso, sollten alle Strecken mit einem Ohmmeter meßbar sein, um die Bausteinqualität beurteilen zu können.
>positive Seite des DMM dabei kurz an an Gate halten >(Gate positiv aufladen), >dann die positive Seite des DMM >sofort danach an Drain halten = sollte niederohmig sein, >weil er durch die positive Ladung des Gate einigermaßen Setzt aber voraus, daß die Durchgangsprüferfunktion mit Spannungen von über 4V (etwa) arbeitet, sonst wird's nix. Mein DMM liefert da gerade mal 1,5V - auch in der Dioden-Testfunktion
@Dietmar Steiner:
>Kann ich den dabei zerstören ?
Weniger durch die Messung, als eher durch den alltäglichen Umgang mit
herum liegenden Gegenständen. Ein einzelner Mosfet hat nicht noch ein
eingebautes Schutznetzwerk wie MOS-IC. Manchmal werden Mosfet mit einem
Metallring oder sonst einem leitfähigen Material an den Anschlüssen
verkauft.
Bei Leistungsbausteinen besteht die Gefahr des Durchschlages nicht so
extrem, da die eine größere Gatekapazität haben. Aber wehe, man hat
Kleintransistoren.
Jens G. schrieb: >>positive Seite des DMM dabei kurz an an Gate halten >>(Gate positiv aufladen), >>dann die positive Seite des DMM >>sofort danach an Drain halten = sollte niederohmig sein, >>weil er durch die positive Ladung des Gate einigermaßen > > Setzt aber voraus, daß die Durchgangsprüferfunktion mit Spannungen von > über 4V (etwa) arbeitet, sonst wird's nix. Mein DMM liefert da gerade > mal 1,5V - auch in der Dioden-Testfunktion ja, dafür nehme ich 200MOhm bereich, dann sind es 10V am ausgang.
>Manchmal werden Mosfet mit einem >Metallring oder sonst einem leitfähigen Material an den Anschlüssen >verkauft. Sowas gibt es doch sicher schon lange nicht mehr. War beim SM103/104 so, vor 30 Jahren. Bitte die Jugend nicht verwirren!
@Michael_: >Sowas gibt es doch sicher schon lange nicht mehr. >War beim SM103/104 so, vor 30 Jahren. >Bitte die Jugend nicht verwirren! Na klar, es ist heute in der Regel nicht mehr so, weil ein Entwickler im Extremfall noch nicht mal weiß, wie ein Transistor aussieht, geschweige denn er ihn jemals in die Finger bekommt. Daß es am Arbeitsplatz keinen ESD-Schutz mehr gäbe, wäre mir aber neu.
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