Hi, Hat jemand vom floating MOS Speicher (=Flash Memory) eine Ahnung? Das ist ja ein MOSFET mit zwei Gates: 1x fix, 1x floating. Dazwischen gibts jeweils die Kapazitaeten C1 und C2. Das Potential am Floating gate
ist gegeben mit:
wobei V_G die Gatespannung ist und Q_F die Ladungen im Floating gate. Die Frage ist nur: Wieso?! Mittels kapazitivem Spannungsteiler erhalte ich (wenn man Q_F weglaesst) genau obige Formel. Wenn ich dann Q_F dazu addiere passt das, auch die Dimensionen stimmen. Aber wieso? Ich verstehs irgendwie nicht. Ist der Ansatz mit dem Spannungsteiler mal richtig (was ich denke)? LG divB