Hi. Ich wollt mal wissen, ob es möglich ist, Fets in Reihe zu schalten wie auf meinem Bild. Der eine Fet ist dafür da, die Spannung ein und aus zu schalten, der andere Fet ist als "rückfluss-Sperre" eingebaut. Fets haben ja eine interne Body Diode, so dass bei nur einem Fet an X1 auch im abgeschalteten Zustand Spannung von X2 anstehen würde. Die Fets sollen eingeschaltet werden, wenn die Spannung an X1 größer als 9V und und kleiner als 14 V ist. Es soll aber auch keine Spannung von X2 an X1 anstehen, wenn die Fets abgeschaltet sind. Grüsse
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Verschoben durch Admin
Sorry aber ich versteh das Ganze nicht, kannste mal bitte beschreiben, was du an welche Klemmen machen willst?
An X1 kommt das Netzteil (Bzw Solarmodul) ran an X2 der Akku. X3 ist der Steueranschluss. Zum Laden sollen dann die Fets eingeschaltet werden. Und wenn die Spannung zu hoch oder zu gering wird, wird abgeschaltet, dabei soll aber keine Spannung vom Akku auf X1 anstehen.
Die Kontrolle der Spannungen soll ein kleiner Atmel übernehmen. Die Akkuspannung und die Netzteil/Solarspannung wird über je einen AD Wandler eingelesen und der Gate Anschluss über den AVR eingeschaltet wenn die Spannungen im grünen Bereich sind.
Hallo der P-FET schaltet ein, wenn die gatespannung negativer als die Source-Spannung ist. So, wie gezeichnet, ist das in sofern problematisch, als die beiden Source-Anschlüsse im gesperrten Zustand floaten. Ich nehme an, dass du die FET's mit GND-Level einschalten willst. dazu benötigen aber die Sourcen dann eine positive Spannung. Gerhard
Hallo deine Gatespannung sollte sich aber auf deine Sourceanschlüsse beziehen!!!
Ok, dann müsste ich also noch Widerstände zwischen Drain und Source machen. Ein paar 10 kOhm oder so reichen ja aus oder? Wenn ich den Wert zu klein wähle, habe ich über den Widerstand auch wieder verluste, weil die Akkuspannung nachts über die Widerstände am Solarmodul ansteht.
So hab mal die Anschlüsse am FET geändert. Jetzt hat der Source kein Floating Potetial mehr. Also so sollte es gehen oder? Grüsse
Gibts eigentlich auch Fets ohne eingebaute Body Diode? Dann bräuchte ich ja nur einen, da ja im ausgeschalteten Zustand kein Strom zurückfließen könnte.
Durch die unterschiedlichen Dotierebenen ergeben sich diese PN-Übergänge zwangsläufig.
Bastler schrieb: > So hab mal die Anschlüsse am FET geändert. > Jetzt hat der Source kein Floating Potetial mehr. Also so sollte es > gehen oder? Lass dich nicht bequatschen. So wie du es im ersten Bild hattest war es schon okay. Da floatet nix beliebig, die Body-Dioden verhindern das bzw. begrenzen den Bereich in dem es floaten kann - und der ist unkritisch. Evtl. zusätzlich noch einen hochohmigen Widerstand spendieren (1Meg oder mehr) - muss aber nicht.
Was passiert eigentlich bei dem Fet der "Verkehrt herum" im Stromfluss liegt? Geht bei dem der Strom nur über die Body Diode mit den Verlusten die durch die Fluss-Spannung auftreten? Oder wird die Body Diode bei durchgeschaltetem Fet "überbrückt"? Ich hoffe ihr versteht was ich meine.
Solange der FET durchgesteuert ist, ist es egal wie rum der Strom fließt. Maßgeblich für das Durchsteuern ist die Gate-Source-Spannung, es liegt an dir, ob du in allen relevanten Fällen ein sauberes Durchsteuern des FET's garantieren kannst - dann gibt es keine Probleme.
Pothead schrieb:
> Solange der FET durchgesteuert ist, ist es egal wie rum der Strom
faaaalsch.
Doch, theoretisch ist das schon richtig, das ist im in erster Linie egal.
Michael M. schrieb: > Pothead schrieb: >> Solange der FET durchgesteuert ist, ist es egal wie rum der Strom > faaaalsch. Bitte? Na aber sicher!
Dennis E. schrieb: > Doch, theoretisch ist das schon richtig, das ist im in erster Linie > egal. der bodydiode aber nicht...
ich bin mir jedenfalls einig. Ist der Fet eingeschaltet (Spannung zwischen Gate und Sourceist deutlich größer als die Threshold Spannung) , so wird die Drain-Source Strecke niederohmig. Der Strom kann in beide Richtung fließen. Der Spannungsabfalls über RDSon des Fets ist dann deutlich <500mV. Er fließt somit nicht über die Body Diode. Im eingeschalteten Zustand ist es also egal, ob da ne (parasitäre) Body-Diode ist, oder nicht. So wie Baster(Gast) die Schaltung in seinem ersten Posting dargestellt hat, funktioniert sie. Hab sie in dieser Form schon in einigen Serienelektroniken drin. Ok. Nicht mit P-Fets, sondern mit N-Kanal Fets. Das ändert aber nichts an der prinzipiellen Funktionsweise. Und auch wie Pothead schon schrieb braucht man sich keine Gedanken über den 2. Fet machen. Durch dessen Body-Diode stützt sich die Spannung an dessen Source ab. So dass auch dieser sauber eingeschaltet wird.
Hallo bleibt aber immer noch die Gatesteuerung. Atmel Ausgang H. z.b. 5V. Source wegen Bodydiode sagen wir auf 12V => FET leitet. Atmel Ausgang L => FET leitet.
Gut, dann werd ich die Schaltung mal testweise aufbauen. Zwischen AVR und Gate müsste ja noch ein Transistor, und ein pullup widerstand. Über den Transistor kann man dann das Gate nach Masse ziehen.
Mach einfach mit einem kleinen isolierten DC/DC-Wandler das Gate floatend. Kann man auch mit Ringkern und ein paar Dioden realisieren. Der Atmel kann das direkt treiben.
Eine galvanische Trennung ist in der Schaltung nicht notwendig. Der Transistor sollte also reichen.
Michael M. schrieb: > Dennis E. schrieb: >> Doch, theoretisch ist das schon richtig, das ist im in erster Linie >> egal. > > der bodydiode aber nicht... ppqq schrieb: > Durch die Body Diode fließt aber kein Strom. Und selbst wenn! Die Body-Dioden können i.d.R. einiges an Strom tragen. Hier mal ein willkürlich gewähltes Beispiel: FDS4435, 30V P-Channel PowerTrench MOSFET I_S, Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current, -2.1A http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDS4435.pdf Bastler schrieb: > Zwischen AVR und Gate müsste ja noch ein Transistor, und ein pullup > widerstand. Über den Transistor kann man dann das Gate nach Masse > ziehen. Genau. Kannst ja nochmal den Schaltplan hier reinstellen.
Das Problem bei der Body-Diode ist trr. Wenn die Ladung erstmal drinnen ist, dann wird sie im MOSFET bei dessen Einschaltung verheizt!
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