Hallo, da ich mich mit MOSFETs nicht so recht auskenne, frage ich mal die Experten unter euch, welcher Typ als alternative zu einem 50N024 Typ einzusetzen währe, den auch Reichelt oder Conrad usw.. im Sortiment hat. Das Teil gehört in den Leistungsteil der Steuerelektronik eines RC-Helikopters für den Hauptrotor.. Hier noch ein Auszug von Datasheet4u: SUD50N024-06P New Product Vishay Siliconix N-Channel 22-V (D-S) 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) 24C FEATURES ID (A)d 80 64 rDS(on) (W) 0.006 @ VGS = 10 V 0.0095 @ VGS = 4.5 V D TrenchFETr Power MOSFET D 175_C Junction Temperature D PWM Optimized for High Efficiency APPLICATIONS D Synchronous Buck DC/DC Conversion - Desktop - Server D TO-252 G Drain Connected to Tab G D S Top View Order Number: SUD50N024-06P S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Drain-Source Pulse Voltage Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Currenta Pulsed Drain Current Continuous Source Current (Diode Conduction)a Avalanche Current, Single Pulse Avalanche Energy, Single Pulse TA = 25_C Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range TC = 25_C PD TJ, Tstg L = 0.1 mH TC = 25_C TC= 100_C ID IDM IS IAS EAS Symbol VDS(pulse) VDS VGS Limit 24C 22 "20 80d 56d 100 26 45 101 6.8a 65 - 55 to 175 Unit V A mJ W _C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction to Ambienta Junction-to-Ambient Maximum Junction-to-Case t v 10 sec Steady State RthJA RthJC Symbol Typical 18 40 1.9 Maximum 22 50 2.3 Unit _C/W C/W Notes a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec. b. Limited by package c. Pulse condition: TA = 105_C, 50 ns, 300 kHz operation d. Calculation based on maximum allowable Junction Temperature. Package limitation current is 50 A. Document Number: 72289 S-31398—Rev. A, 30-Jun-03 www.vishay.com 1 www.DataSheet4U.com SUD50N024-06P Vishay Siliconix New Product SPECIFICATIONS (TJ = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Static Drain-Source Breakdown Voltage Gate Threshold Voltage Gate-Body Leakage Zero Gate Voltage Drain Current On-State Drain Currentb Drain Source On State Drain-Source On-State Resistanceb Forward Transconductanceb V(BR)DSS VGS(th) IGSS IDSS ID(on) rDS(on) gfs VGS = 0 V, ID = 250 mA VDS = VGS, ID = 250 mA VDS = 0 V, VGS = "20 V VDS = 16 V, VGS = 0 V VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 125_C VDS = 5 V, VGS = 10 V VGS = 10 V, ID = 20 A VGS = 10 V, ID = 20 A, TJ = 125_C VGS = 4.5 V, ID = 20 A VDS = 15 V, ID = 20 A 15 0.0073 50 0.0046 0.006 0.0084 0.0095 S W 22 0.8 3.0 "100 1 50 V nA mA A Symbol Test Condition Min Typa Max Unit Dynamica Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Gate Resistance Total Gate Chargec Gate-Source Chargec Gate-Drain Chargec Turn-On Delay Timec Rise Timec Turn-Off Delay Timec Fall Timec Ciss Coss Crss RG Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf VDD = 10 V, RL = 0.2 W ID ^ 50 A, VGEN = 10 V, RG = 2.5 W VDS = 10 V, VGS = 4.5 V, ID = 50 A VGS = 0 V, VDS = 10 V, f = 1 MHz 2550 900 415 1.5 19 7.5 6.0 11 10 24 9 20 15 35 15 ns 30 nC W p pF Source-Drain Diode Ratings and Characteristic (TC = 25_C) Pulsed Current Diode Forward Voltageb Source-Drain Reverse Recovery Time ISM VSD trr IF = 50 A, VGS = 0 V IF = 50 A, di/dt = 100 A/ms 1.2 35 100 1.5 70 A V ns Notes a. Guaranteed by design, no Danke!! MfG Christisn
Servus Christian, Habe mir grade dein Beitrag durchgelesen, hatte bei einem Kunden ein änlichen Fall. Ich würde dir den Asmann LB3349 weiterempfehlen. Ich denke damit ist dein Problem gelöst. Ob er auf Conrad oder Reichelt zu bestellen ist kann ich dir leider nicht sagen. Gruß Herbert
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