hallo ich möchte eine ir-fernbedienung bauen und hab dazu auch einige nette hinweise in diesem forum gefunden. es wurde jedoch auch geschrieben, dass bei pulsung der led einen beträchtlich höheren strom als die üblichen 20mA fliessen kann und die led deshalb nicht direkt an einen uC angeschlossen werden soll. wie muss ich nun eine solche treiberstufe aufbauen? sind mosfets oder bipolartransistor? wie ist eine solche treiberstufe zu dimensionieren? in welchem bereich sind diese einschaltströme? sind diese in den datenblätter mit "Peak forward current" bezeichnet? bin für jeden konkreten hinweis dankbar. markus
... ach ja, und auf welchen strom muss ich dann die treiberstufe dimensionieren? den durchlass- oder den peackstrom? oder hängt das gar von der pulslänge, pulsdauer oder so ab??? wer hat damit erfahrung? bim immernoch um jede hilfe sehr dankbar!
Also die Fragen ... naja etwas Englisch könnte evtl. helfen. Einfach mal ein Aufbau der so funktioniert - für Standart IR LED. Vcc | 33 Ohm | IR LED | | / µC --- 4,7k ---| BC337 \> | GND Wierum man die Diode einsetzt sollte ja klar sein. Transistor ist Standart NPN BC337.
>Einfach mal ein Aufbau der so funktioniert
Das ist ne Emitterschaltung. Die ist ziemlich langsam.
Ich würde folgendes empfehlen:
-o---Vcc-----o------
| |
-----. |
| |
| |/C
µC |-------|
| |\E
| |
| R
-----' | Vcc - 0V6
| \|/ => I= -----------
| -|- R
| |
-o----GND----o-------
besten dank für die vorschläge. wo liegen hier vorteile eines bipolartransistors? könnte der treiber auch mit mosfets realisiert werden? besonders da der bipolartransistor ja als stromverstärker eingesetzt wird und der strom (und damit die verstärkung) für lange und kurze pulse sehr unterschiedlich ist.
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