Hallo zusammen, ich bin mir sicher dieses Thema wurde hier schon angesprochen, aber ich finde diese Threads nicht. Wie ihr sicherlich wisst ist es bei MOSFET Halbbrücken üblich eine Dead Time zwischen dem nicht-invertiertem und dem invertiertem PWM zu haben, weil sonst Kurzschlüsse entstehen können. Was für Möglichkeiten gibt es diese Dead-Time zu erzeugen? Ich habe schon von uC gehört welche das integriert haben, hat jemand Erfahrung damit? Oder kennt jemand eine Schaltung für dieses Problem? Würde mich über eine Antwort freuen. Gruss Dominik
fast alle heutigen neueren halbbrückentreiber können das (overleap protection, shoot-through protection) oder man kann eine minimalzeit vorgeben (TL494 dead time control).
Eine Totzeit von ca. 1 µs ist bei Brücken völlig ausreichend. Eine einfache Möglichkeit wäre, ein Signal A durch zwei Invertergatter zu schicken (Signal B) und nachher die beiden Signale A und B zu ver-UND-en. Dann hast du eine Totzeit die 2x der Gatterlaufzeit entspricht. Bei Belieben auch 4 Invertergatter möglich. Oder: ein Signal A parallel an ein UND und an ein ODER-Gatter führen. Nochmals parallel dazu ein Tiefpassgefiltertes Signal B erzeugen (RC-TP 4,7k/100pF) und dieses Signal an die beiden freien Eingänge der Gatter führen. Signal A sollte gepuffert kommen, um TP treiben zu können. Nicht direkt einen µC-Ausgang nehmen. Das Signal am UND-Gatter kommt später und fällt früher ab als das Signal am ODER-Gatter -> ODER-Gatter: LowSide, UND-Gatter: HighSide. Hoffe geholfen zu haben...
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