Hallo Ich suche einen MOSFET und passenden Treiber für einen Eintaktflusswandler. Der MOSFET sollte so um 6A schalten können und mit 16kHz PWM betrieben werden. Angesteuert werden soll das ganze von einem AtMega8 mit 5V Versorgungsspannung. Ich habe schon einen, meiner Meinung nach, passenden MOSFET ausgesucht. Ich weiss aber eben nicht genau ob dieser MOSFET für die Bedingungen ausreichend ist. Daher habe ich das Datenblatt des ausgesuchten MOSFET FQPF6N90C von Fairchild angehängt, sodass ihr mal schauen könnt ob das passt. Nun fehlt mir aber leider die Erfahrung einen passenden Treiber auszuwählen. Da bräuchte ich nun Vorschläge mit welchen Treiber dieser (oder ein anderer MOSFET) zu verwenden ist. Des weiteren wäre es für mich hilfreich wenn ihr mir sagen könntet nach welche Kriterien man einen MOSFET Treiber aussuchen muss. Letzendlich wird alles über die Zeit bestimmt die der Treiber braucht um die Gate-Kapazität umzuladen, oder? Des weiteren soll der Leistungsteil galvanisch vom Mikrocontroller getrennt werden. Dazu wollte ich einen einfachen Optokoppler an den µC hängen, der dann den MOSFET Treiber ansteuert. Nur habe ich nicht so den Überblick über handelsübliche, einfache Optokoppler, die dann auch den Treiber ansteuern können. So, dann bedanke ich mich schon einmal für die Mühe die ihr euch macht wenn ihr einen Tip oder eine Empfehlung für mich habt. MFG Olli
Ich möchte diese Thema noch einmal nach oben holen, da es zwar zu anderen Fragen in dieser Richtung schon genügend Antworten gibt, aber hier noch niemand geantwortet hat. Evtl findet sich ja doch noch jemand, der Erfahrung mit MOSFETs hat und mir helfen kann. MFG Olli
Hallo Olli! Mit den „dürftigen“ Infos wird Dir hier keiner helfen können/wollen. Darüber hinaus kannst Du auch mal im Internet nach der Funktionsweise von Schaltnetzteilen suchen, dann bekommst Du schon mal einen kleinen Überblich wie was funktioniert. Hier findest Du ein paar nützliche Infos: http://www.elektroniknet.de/bauelemente/technik-know-how/leistungshalbleiter/article/336/0/Auf_den_MOSFET_kommt_es_an/ http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/smps.html#smps Dann ist noch die Frage offen welche Spannung Du schalten willst. Aber auch ohne dieses Wissen lässt sich schon mal eine simple Rechnung durchführen. Dein FET: Rds(ON) = 2,3 Ohm (bei Vgs = 10V) 2,3 Ohm * 6A = 13,8V ---> 13,8V * 6A = 82,8W Abwärme Entnimmst Du also deiner Schaltung später einmal 6A, dann „verheizt“ der FET davon schon mal 13,8V durch den schlechten Rds(ON) Wert, sprich es werden satte 82,8W in Wärme umgesetzt. Du solltest also unbedingt einen anderen FET auswählen, einen mit einem geringeren Rds(ON) Wert. Bei dem FET-Treiber kommt es darauf an was für eine Schaltung Du hier aufbauen willst. Generell wirst Du aber Probleme mit der Galvanischen Trennung bekommen, denn es gibt keinen Optokoppler (ich kenne keinen Optokoppler) der eine PWM-Frequenz von 16KHz schalten kann. Du wirst hier also den ATmega8 mit auf das gleiche Potential legen müssen und dann später die „Ansteuerung“ für den ATmega8 durch einen Optokoppler trennen müssen. Wenn Dir nur 5V zur Verfügung stehen, dann hast Du außerdem noch ein anderes Problem. Das Gate vom FET möchte wenigstens mit 10V bis 15V angesteuert werden, damit der FET auch schnell umladen kann. Es gibt FETs mit Logik-Level, die schalten aber sehr langsam und sind für 16KHz PWM ungeeignet. Welche FETs geeignet sind, dass kannst Du aus dem oberen Link ableiten. Und hier gibt es noch eine Übersicht dazu: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht LG Jens
Das sind ja schon einmal sehr hilfreiche Informationen! Ich hatte mich eigentlich bemüht das Problem mit allen Details so gut wie möglich darzustellen. Die zu schaltende Spannung habe ich dabei wohl vergessen. Der Wandler soll hinter einer PFC Schaltung arbeiten, die maximal ca 400V DC ausgibt. Da sich die Spannung der Induktivität im schlechtesten Fall auf diese 400V aufaddiert können maximal 800V zu schalten sein. Ich habe allerdings keinen MOSFET mit 800V gefunden. Daher habe ich diesen ausgewählt, da er 900V verträgt. Ich habe des weiteren keinen MOSFET gefunden, der bei so einer hohen Spannung einen wesentlich niedrigeren Rds(ON) hat. Wie soll ich da nun vorgehen? Oder muss ich gar nicht mit dem schlechtesten, anzunehmenden Fall arbeiten? Sprich, die zu schaltende Spannung des MOSFET (Vdss) wesentlich niedriger wählen? Und was für Informationen würden denn noch gebraucht werden um einen passenden MOSFET auswählen zu können? Die restlichen Bauteile (Trafo, Induktivität, Speicherkondensatoren...) sind alle schon berechnet. Nur mit der Auswahl eines passenden Bauteils aus der riesigen Menge der verfügbaren MOSFETs bin ich bislang noch nie konfrontiert worden. Daher bitte ich um Hilfe wie ich dort vorgehen muss. MFG Olli
Hallo Olli! > Da sich die Spannung der Induktivität im schlechtesten Fall auf diese > 400V aufaddiert können maximal 800V zu schalten sein. Ich habe > allerdings keinen MOSFET mit 800V gefunden. Daher habe ich diesen > ausgewählt, da er 900V verträgt. Dazu kann ich auch nichts sagen, dazu habe ich zu wenig Ahnung von der Materie. Eine kurze Suche im Internet hat aber schon mal folgende Typen ermittelt: IXFK24N90Q FS10SM-18A 2SK1363 2SK2611 APT36N90BC3G Ich würde wahrscheinlich den „IXFK24N90Q“ verwenden, der Rds(ON) liegt hier bei 0,45 Ohm und dazu kommt auch noch dass der FET schön schnell schaltet... LG Jens
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