Hallo ! Ich hab mal ne Frage zu H-Brücken. Manche H-Brücken werden nur mit NPN Transistoren und manche mit NPN und PNP, bzw. reine N Mosfets oder N und P Mosfets aufgebaut. Ich selbst habe schon H-brücken mit DC-Motoren und bipolaren Schrittmotoren aufgebaut und dabei immer reine N-Mosfets verwendet. Worin liegt eigentlich der Unterschied bzw. Vor oder Nachteile wenn man N-P verwendet ?? lg
P-Channel FETs benötigen für die gleiche Leistung mehr Platz wie ein N-Channel FET, was sie teurer macht und schlechtere Leistungsdaten bewirkt. Die Auswahl ist gering. Nehmen wir zum Beispiel den verbreiteten P-Channel FET IRF5305. Der hat ein RDSon von 0,065 Ohm. Verglichen mit einem halbwegs guten N-Channel Fet sind das grausame Werte, mit der Folge, dass der schon bei relativ geringen Strömen recht heiß wird: I=10 A, Pverlust= 0,065*100W=6,5W Für kleine Anwendungen mit niedrigen Strömen eignet sich eine Kombination aus P- u. N-Channel FETs recht gut, z.b. IRF 7413/IRF 7416, weil man diese einfach und ohne viel Peripherie ansteuern kann. Für hohe Ströme wird man aber immer auf gute N-Channel FETs mit einer Ladungspumpe bzw. entsprechendem IC für die high side zurückgreifen ... Ralf2008
Hi Ralf , danke für die klare Antwort. Sehr hilfreich. Nur noch eine Frage, warum verwenden manche im H-Brückenzweig an der Plusleitung P-Channel Fets und an der Masseleitung N-Channel Fets. Ich verwende nur N-Channel bzw. NPN Transistoren. Welchen Sinn macht das ? lg
>Ich verwende nur N-Channel bzw. NPN Transistoren.
und wie steuerst du die "oberen" High-Side Transistoren an?
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