Hallo, bin gerade über den Leistungs-MOSFET IRLB3813PbF (International Rectifier) "gestolpert". Dieser ist laut Datenblatt http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlb3813pbf.pdf für Drain-Ströme von 120A ausgelegt (120A ist nur die Package Limitation, der Halbleiter selbst hält etwa 200A aus). Wie ist das mit einem TO-220AB Package möglich, wo doch die Beinchen so dünn sind? Funktioniert das nur durch gute Wärmeabfuhr aufgrund der kurzen Beine? Danke, Flo
HI, das begrenzende Element ist beim TO220 eher die Spannung. Es gibt weitaus dünnere Leitungen, z.B. Bonddrähte mit je 50A. Zu beachten ist die Kühlung des Fets, sonst stirbt er eh..
@ Flo (Gast) >Wie ist das mit einem TO-220AB Package möglich, wo doch die Beinchen so >dünn sind? Funktioniert das nur durch gute Wärmeabfuhr aufgrund der >kurzen Beine? Ja. Da braucht man dicke Kupferlagen. @ Murphy Spider (student-f) >das begrenzende Element ist beim TO220 eher die Spannung. Kaum. Es geht hier um einen HochSTROM-MOSFET mit 200A und 30V V_DS. >Es gibt >weitaus dünnere Leitungen, z.B. Bonddrähte mit je 50A. Wollen wir wetten, dass IRF da schon weiß was sie machen? Und dass da nicht nur ein Bonddraht am Source hängt? Und Drain sowieso direkt mit dem Kupferträger kontaktiert ist, welcher auch direkt mit dem mittleren Pin verbinden ist. > Zu beachten ist die Kühlung des Fets, sonst stirbt er eh.. Wer hätte das gedacht? Selbst ein 7805 stirbt bei 1A und 20V Spannungsabfall . . . MfG Falk
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