Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Baugröße LeistungsMOSFET


von Flo (Gast)


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Hallo,

bin gerade über den Leistungs-MOSFET IRLB3813PbF (International 
Rectifier) "gestolpert". Dieser ist laut Datenblatt

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlb3813pbf.pdf

für Drain-Ströme von 120A ausgelegt (120A ist nur die Package 
Limitation, der Halbleiter selbst hält etwa 200A aus).

Wie ist das mit einem TO-220AB Package möglich, wo doch die Beinchen so 
dünn sind? Funktioniert das nur durch gute Wärmeabfuhr aufgrund der 
kurzen Beine?

Danke,
Flo

von Murphy S. (student-f)


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HI,

das begrenzende Element ist beim TO220 eher die Spannung. Es gibt 
weitaus dünnere Leitungen, z.B. Bonddrähte mit je 50A. Zu beachten ist 
die Kühlung des Fets, sonst stirbt er eh..

von Falk B. (falk)


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@  Flo (Gast)

>Wie ist das mit einem TO-220AB Package möglich, wo doch die Beinchen so
>dünn sind? Funktioniert das nur durch gute Wärmeabfuhr aufgrund der
>kurzen Beine?

Ja. Da braucht man dicke Kupferlagen.

@  Murphy Spider (student-f)

>das begrenzende Element ist beim TO220 eher die Spannung.

Kaum. Es geht hier um einen HochSTROM-MOSFET mit 200A und 30V V_DS.

>Es gibt
>weitaus dünnere Leitungen, z.B. Bonddrähte mit je 50A.

Wollen wir wetten, dass IRF da schon weiß was sie machen? Und dass da 
nicht nur ein Bonddraht am Source hängt? Und Drain sowieso direkt mit 
dem Kupferträger kontaktiert ist, welcher auch direkt mit dem mittleren 
Pin verbinden ist.

> Zu beachten ist die Kühlung des Fets, sonst stirbt er eh..

Wer hätte das gedacht? Selbst ein 7805 stirbt bei 1A und 20V 
Spannungsabfall . . .

MfG
Falk

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