TNY268P Eingangsspannung bis 800V

[Michael (Gast)]

Hi,

bin auf der Suche nach einer Möglichkeit die 
Drain-Source-Breakdown-Voltage des TNY268 Schaltreglers auf 800V DC 
erhöhen zu können.
Habe dazu aus einer fertigen Baugruppe, die so etwas enthält abgeschaut, 
aber ich versteh diese Schaltung nicht so ganz. Habe im Anhang den 
herausgemessen Aufbau angehängt (nur die nötigen Bauteile 
eingezeichnet). Kann mir damit wer helfen?

MFG Michael

[Falk B. (falk)]

@  Michael (Gast)

>Habe dazu aus einer fertigen Baugruppe, die so etwas enthält abgeschaut,
>aber ich versteh diese Schaltung nicht so ganz.

naja, ist eine Trickschaltung. Der externe MOSFET wird in Gateschaltung 
betrieben, eher exotisch für einen Schalttransistor. Der interne MOSFET 
schaltet dessen Source und damit die Gate-Source Spannung. Damit sieht 
er nur knapp 15-20V, je nach Dimensionierung. D1-D3 sind sicherlich 
Z-Dioden, die sollen ja eine konstante Spannung von ~15V bereitstellen.

Geöffnet wird der externe MOSFET Q wenn der interne Source auf GND 
zieht, das geht relativ flott. Geschlossen wird überaschenderweise auch 
relativ flott, wenn der interne MOSFET sperrt, dann zieht es Source nach 
oben bis sich der MOSFET selber den Saft abdreht. D4 ist hier wichtig.

Relativ clever die Schaltung.

MFG
Falk

[Michael (Gast)]

ah ok vielen dank
aber noch eine Frage: Für was ist R1, R2 und C1? Etwa um die 
Schaltflanken steiler zu machen?

[Falk B. (falk)]

@  Michael (Gast)

>aber noch eine Frage: Für was ist R1, R2 und C1? Etwa um die
>Schaltflanken steiler zu machen?

Naja, eigentlich sind R1 und R2 überflüssig, C2 puffert die Gatespannung 
wenn geschaltet wird.

MfG
Falk