Hallo, ich habe das Problem, dass ein MOSFET beim Ausschalten eine starke Spannungsschwingung (Uds) hat. Überschwingen um ca. 20 % und lange Abklingzeit. Wir befinden uns im 600 V Bereich und schalten eine induktive Last mit Freilaufdiode. Bei Reduktion der parasitären Induktivitäten am Source Anschluss (nach der Treiberrückführung) verringert sich die Schwingung leicht in der Amplitude (15 % Überschw.) und klingt deutlich schneller ab. Dieses Phänomen würde ich mir gerne erklären. In Simulationen von LT-Spice finde ich keinen wirklichen Zusammenhang mit den reduzierten Induktivitäten an Source. Dort würde ich eher auf andere Lastinduktivitäten schließen. Vielleicht hat je jemand von euch eine Ahnung an was es liegen könnte. Danke schon mal
Schau mal nach den parasitären Induktivitäten am Drain, die müssten die Überschwinger erzeugen. Und mach den Gatevorwiderstand größer, dann wirds auch besser. Um es ganz wegzukriegen, nimm einen Snubber.
Ja, die Drain-Induktivitäten spielen eine große Rolle, das habe ich in Messung und Simulation auch festgestellt. Jedoch ist die Frage, warum die deutliche Reduzierung der Source Induktivitäten eine Verbesserung darstellt. Oder kann dieser Einfluss ausgeschlossen werden und es muss somit an einer unbeabsichtigten Änderung des Schaltkreises liegen?
Na ja, die Sourceinduktivität kann Probleme machen, wenn dadurch das Sourcepotential soweit angehoben wird, dass die Gateschwellenspannung wieder überschritten oder unterschritten wird. Dann gibts ungewollte Schaltvorgänge. Sonst musste mal mit der Simulation rumspielen und schauen, was passiert.
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