Hallo Leute, ich bin wie gesagt Anfänger und habe mir recht viel angelesen. Aber auch mit Google Youtube und Co. bekam ich keine Antwort, mit der ich so richtig glücklich war: Wenn ich einen (Leistungs-)NPN-Transistor als Schalter verwenden will, muss ich ja in die Base so viel Strom reinstecken, dass der Transistor voll durchschaltet. Mir ist klar, dass man zum schalten vom µC aus besser einen Darlington oder einen FET verwendet, aber mir geht es hier ums Verständnis, und darum dass ich in Zukunft das Datenblatt verstehe, ohne hier dumme Fragen stellen zu müssen ;-) Nehmen wir folgendes Konkretes Beispiel, welches mir neulich untergekommen ist (Die Sache ist inzwischen vom Tisch, Tipps, was ich stattdessen hätte nehmen/machen sollen sind als unnötig) Ich hatte diesen Transistor in die Finger bekommen D209L http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/448893/WINSEMI/D209L.html Meine Spannungsquelle waren 50V DC (schön glatt) Laut Datenblatt kann der ja ein paar Hundert Volt schalten und von den 12A die er am Collector ab kann, wollte ich nur 2,8A haben. Welche Spannung und welchen Strom hätte ich der Base zuführen müssen, dass dieser Transistor voll durchschaltet und an welchen Werten des Datenblatts hätte ich dies ermitteln können. Der Hfe-Wert ist dort nämlich recht Schwammig mit mal 10-40 und mal 6-40 angegeben. Die im Datenblatt angegeben Kurven sind zwar interessant, aber wenn ich ehrlich bin verlasse ich bei deren Betrachtung den Bereich des Verstehens und betrete die Weiten Ebenen der Spekulation. Es wäre also nett wenn mir jemand einen passenden Wegweiser geben könnte, gerne auch in Form eines Links zu einem praxisorientierten Erklärungstext zum Thema Transistoren. Was ich mit Google so gefunden habe waren weniger "How-Tos" sondern mehr Referate über die Geschichte der Transistoren mit Ausflügen in die Teilchenphysik Schönen Gruß TOM
Wenn du mit dem Transistor die Leistung laut Datenblatt erreichen willst, dann hilft dir Fig 2, in der steht: Hfe = 5 (Fig 3 ist falsch, sie zeigt dasselbe wie Fig 2, sollte aber für die Basisspannung ca. +0.7V mehr anzeigen) Um 2.8A zu schalten brauchst du also 560mA Basisstrom und bekommst dafür eine CE-Sättigungsspannung von ca. (je nach Temperatur) 0.1V und einen Verlust von 0.28 Watt. Bei weniger Basisstrom (sagen wir 100mA) wird der Spannungsabfall am Transistor grösser, er schaltet nicht mehr optimal durch, sagen wir er hat dann 1V und verbrät 2.8 Watt, aber dazu gibt es keine Datenblattangaben, er könnte auch 10V verbraten. Ganz allgmeine ist so ein Hochspannungstransistor immer schlecht von der Stromverstärkung her, man baut ihn nur ein, wenn man so hohe Spannungslimits auch braucht.
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm http://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand http://www.mikrocontroller.net/articles/Transistor
Kennst du schon diesen Artikel? http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm Das Elektronik-Kompendium hat viele Artikel zu dem Thema, einige davon findest du am Ende von dem verlinkten Artikel. Im Grunde funktioniert es so: über die Basis führst du einen Strom zu der gemäß Datenblatt um Faktor x bis y verstärkt wird. Da du nicht weißt wie stark die Verstärkung ist gehst du am besten von x aus und berechnest den Basisstrom. Den Strom durch die Kollektor-Emitter-Strecke begrenzt du wiederum auf den gewünschten Strom über einen Widerstand. Grüße Thorsten
Perfekt! genau so wollte ich es haben... .... leider bestätigen die Texte meine Vermutungen, so dass der Fehler, der da passiert ist wohl irgendwie in der Praxis lag (Irgendwo doch ein Kurzschluss, den ich nicht gesehen habe oder eine Verbindung war nicht so leitend wie sie sein sollte... Oder der aus einem Alt-Gerät geklaute Transi hatte wohl doch schon einen schaden...) Aber danke Euch... es bastelt und lernt sich einfach schöner, wenn man "weiß" und nicht nur "glaubt"
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