Gatespannung höher als Drainspannung an IRF530

[Robert S. (bimbo385)]

Ich hab mal ne kurze Frage zum N-Kanal MOSFET (Sperrschicht FET), 
genauer zum IRF530.

Ich hab folgendes Problem, ich möchte über den FET eine variable 
Spannung nach Masse durchschalten und hab zur Ansteuerung des FET einen 
Open-Collector-Ausgang von einem Komparator.

Das Ganze soll nur als einfacher Schalter funktionieren, also keine 
hohen Schaltfrequenzen.

Meine Idee ist jetzt einfach einen 10K Pullup vom Gate an die 11-15V 
Versorgungsspannung und dann das Gate mit dem Open-Collector-Ausgang 
nach Masse zu Schalten.

Source kommt an Masse und am Drain liegt dann meine variable 
Eingangsspannung.

Jetzt kann es passieren, dass meine variable Eingangsspannung deutlich 
unter der Versorgungsspannung liegt und somit die Gate Spannung höher 
ist als die Drain Spannung.

Tut das dem FET was? Im Datenblatt steht dazu nichts. Keine Angabe zu 
Drain to Gate Voltage oder ähnlich.

Normal sollte das ja egal sein, solange die maximale Gate to Source 
Spannung nicht überschritten wird oder? Weil das Gate ist ja isoliert.

Mfg Bimbo385

[henning (Gast)]

1. doch es steht im datenblatt, in den diagrammen. 2. hast du ein 
riesiges problem, wenn Uds größer ist als Ugs, wenn Ugs bei 12 V liegt. 
Das schafft der nur bei ca. 100 A.

legts du 12 V an das gate, wird der Transistor leitend und die Spannung 
an D-S sollte zusammenbrechen und ist damit zwangsläufig kleiner als 
Ugs.

[Robert S. (bimbo385)]

Ich sollte abends nicht mehr sowas machen....

Danke für den Wink. Irgendwie lag da ne Hirnwindung bei mir quer...

logisch, sobald ich die Spannung ans Gate lege hab ich ja fast 0V über 
der Drain Source Strecke.


Meine Frage hat sich somit erübrigt.

Danke und schönen Abend noch!



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