Hi, ich hab das folgende Modell eines N_Channel_MOSFETS: (Ausschnitt) *FDS3890 at Temp. Electrical Model *------------------------------------- .SUBCKT FDS3890 20 10 30 50 *20=DRAIN 10=GATE 30=SOURCE 50=VTEMP [...] *TEMP SECTION ED 101 0 VALUE {V(50,100)} VAMB 100 0 25 EKP 1x 0 101 0 .023 [...] Wie behandele ich den Anschluss (?) für die Temperatur in der Simulation bzw. im Symbol ?
Ich rate mal: An den Temperaturanschluss eine Spannungsquelle, 1V=1°C.
Die Simulation läuft zwar los, aber er wird nicht fertig mit Rechnen...
Ich gehe mal davon aus, dass du LTspice verwendet hast. Mach einen zip-file mit deinen Dateien und hänge den an deine nächste mail an. Ich schau dann mal rein. Bitte nicht den .raw und .log file anhängen.
Hi, Danke für deine Antwort. War leider gestern nicht mehr online. Im Anhang die Schaltung. LTSpice schafft es nicht die Simulation zu berechnen.
Du musst die Source-Anschlüsse der Mosfets irgendwo anschließen. In einem subcircuit war ein ".end". Das sollte man auf keinen Fall machen. Ich habe deine Schaltung und deine Modelle gerichtet. Jetzt musst du nur noch die Mosfets umverdrahten. Aber bitte Source nicht wieder "in die Luft hängen".
Ich bin auch zu blöd. Danke ! P.S: Der Schaltungsaufbau an sich war aber schon so gedacht.
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