MOSFET Wahl Step-Up mit sehr niedriger Eingangssp.

[Alberto S. (Firma: Student) (alberto)]

Hi,

ich bin dabei einen Step-Up diskret aufzubauen. Eingespeist werden 2,4V, 
geregelt soll später auf eine Ausgangsspannung von 5V. Es werden maximal 
30-40mA "gezogen".

Ich habe den Step-Up testweise in Ltspice simuliert.
Habe hier zwei MOSFETs liegfen, einmal den BS170 und den IRLZ24N.
Eine Gatesourcespannung von 2,4V reicht für den BS170 nicht aus um den 
entsprechenden Drainstrom fließen zu lassen, würde nicht niederohmig 
genug.

Bleibt der MOSFET (IRLZ24N) übrig. Beim Bipolartransistor finde ich es 
einfacher, da man über die Stromverstärkung den entsprechenden 
Transistor leicht auswählen kann. Beim MOSFET wird zwar der Drainstrom 
in Abhängigkeit der Gatesourcespannung abgebildet, aber diese gilt für 
eine Uds Spannung von 15V...

Nun wie gehe ich da dran um rauszufinden ob der IRLZ bei 2,4V 
niederohmig genug wird? Die Ugs messtechnisch bestimmen? Oder kriegt man 
das aus dem Datenblatt raus?

[ongI (Gast)]

Es gibt zu jedem MOSFET ein Dokument mit Daten. Weil es Daten enthält 
nennt man es Datenblatt. Is frei verfügbar im Internet.

[Michael H. (overthere)]

Also erstmal, ohne mir die LTSpice File angeschaut zu haben:

1. 15kHz sind arg niedrig, da brauchst du riesige Induktivitäten.
2. Du musst auf die Treshold-Spannung von Mos achten. Es gibt 1.8V 
Mosfets die hier fast schon voll durchstuern, die deine Anforderungen 
erfüllen.
Du hast hier eine ThresholdSpannung von 2V, folglich anderen Mos wählen, 
der das packt.
3. Wozu brauchst du 55V Sperrspannung. Such dir einen aktuellen FET 
raus. Z.B. bei Vishay oder Infineon, der deine Anforderungen erfüllt. 
(10V Sperrspannung reichen bei dir völlig!)

[Der (Gast)]

Gibt es nicht auch Desgins, in denen die Schaltspannung des FETs aus der 
Ausgangsspannung gewonnen wird? Beim Einschalten der Schaltung ist der 
Wirkungsgrad ein bisschen geringer, aber der geht dann mit der 
Ausgangsspannung nach oben...

[Alberto S. (Firma: Student) (alberto)]

Hi,

15Khz ist ok, damit brauch ich eine Induktivität mit 553uH. Wird im 
DCMode betrieben.

Das mit dem packen ist ja die Sache...
Habe aktuell nur die beiden Transistoren hier liegen, deshalb die Frage.
Mir ist schon klar das der 2. Mosfet überdimensioniert ist. Aber solange 
er bei ner Gatespannung von 2,4V niederohmig genug wird, das ein 
Drainstrom von ca. 170mA fließen kann ist es doch in Ordnung.

Genau dabei bin ich mir nicht sicher, aus dem Datenblatt kann ich diese 
Info. nicht entnehmen da ID(UGS) @UDS=15V aufgenommen wurde. Wer weiß 
wie sich der MOSFET bei UDS=5V und niedriger verhält.

Komme wohl nicht drum herum die UGS für den IRL messtechnisch zu 
bestimmen.

Den einzigen LL Mosfet den ich bei Rei*ch finden konnte ist der IRF3708