MOSFET - Gate galvanisch getrennt?

[/\nalog (Gast)]

Hallo an alle,

bloss eine kurze Frage, gilt das Gate eines MOSFET (Channel egal) bis zu 
seinen Spezifikationen (meistens so bis max. +20V) von Source und Drain 
als galvanisch getrennt?

[Mine Fields (Gast)]

Die Frage ist, wie du "galvanisch getrennt" definierst. Es ist 
jedenfalls von Source und Drain isoliert. Das bringt dir aber in jeder 
normalen Anwendung nichts, weil du eine Gate-Source-Spannung anlegen 
musst.

[Andreas (Gast)]

Für Fälle, wo der Lastkreis (MOSFET) vom Steuerkreis galvanisch getrennt 
sein muss, gibts MOSFET-Treiber als Optokoppler, z.B. TLP250.

[Stimmy (Gast)]

Man kann bei PWM-Anwendungen das Gate auch über einen kleinen 
Ferrit-Übertrager ansteuern.
Der Vorteil gegenüber Optokopplern ist dass der Übertrager gleich die 
Energie zum Umladen des Gates liefert und man keine zusätzliche 
Versorgungsspannung braucht.

Allerdings geht das nur bei relativ hohen Ansteuerfrequenzen; und 100% 
Pulsbreite (FET immer an) kann man auch nicht erreichen.

In manchen Schaltnetzteilen werden diese Übertrager verwendet.

[Falk B. (falk)]

@  Stimmy (Gast)

>Man kann bei PWM-Anwendungen das Gate auch über einen kleinen
>Ferrit-Übertrager ansteuern.

Ja.

>Der Vorteil gegenüber Optokopplern ist dass der Übertrager gleich die
>Energie zum Umladen des Gates liefert und man keine zusätzliche
>Versorgungsspannung braucht.

Ja.

>Allerdings geht das nur bei relativ hohen Ansteuerfrequenzen; und 100%
>Pulsbreite (FET immer an) kann man auch nicht erreichen.

Falsch. Mit Knoff Hoff geht das auch bei sehr niedrigen Frequenzen und 
auch 100% DC.

Beitrag "Re: +-150V mit 1kHz schalten"

Wenn man etwas Logik und Treiberaufwand (H-Brücke) spendiert, kann man 
sogar den Kondensator und damit dessen Umladeenergie einsparen.