Hallo an alle, In den FGMOSFETs neuester Generation beträgt die Kantenlänge der quadratischen isolierten Gates gerade einmal 10nm. Jetzt frage ich mich: Die Ladungsmengen, die dort gespeichert sind, sind doch so minimal, wie kann man den Drain-Source Widerstand überhaupt noch effektiv von der ungeladenen Variante unterscheiden? Besonders bei Mult-Level Cells? Wie wird so etwas ausgewertet? Danke schonmal
Da wir hier alle Flash-Chip-Hersteller sind, werden wir uns hüten, derartiges Wissen preiszugeben. Deine Frage ist vielleicht ein bisschen zu speziell, meinst Du nicht?
Dachte ich mir schon, da ich nichts im Internet dazu finden konnte. Aber was meint ihr? Extrem empfindliche Verstärker?
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