Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik SLC & MLC Speichermatrix Auswertung


von /\nalog (Gast)


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Hallo an alle,

In den FGMOSFETs neuester Generation beträgt die Kantenlänge der 
quadratischen isolierten Gates gerade einmal 10nm. Jetzt frage ich mich: 
Die Ladungsmengen, die dort gespeichert sind, sind doch so minimal, wie 
kann man den Drain-Source Widerstand überhaupt noch effektiv von der 
ungeladenen Variante unterscheiden? Besonders bei Mult-Level Cells? Wie 
wird so etwas ausgewertet?

Danke schonmal

von /\nalog (Gast)


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Keiner weiß was?

von Rufus Τ. F. (rufus) Benutzerseite


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Da wir hier alle Flash-Chip-Hersteller sind, werden wir uns hüten, 
derartiges Wissen preiszugeben.

Deine Frage ist vielleicht ein bisschen zu speziell, meinst Du nicht?

von /\nalog (Gast)


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Dachte ich mir schon, da ich nichts im Internet dazu finden konnte. Aber 
was meint ihr? Extrem empfindliche Verstärker?

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