Ansteuerung von Leistungstransistoren mit Mosfets

[Sven (Gast)]

Hallo!

Ich möchte einen SiC-Bipolartransistor mit einer Mosfet-Halbbrücke 
ansteuern (s. Anhang, in diesem Fall ist ein Verbraucher an den Ausgang 
angeschlossen).

Diese Art von Ansteuerung habe ich bereits in vielen Papern, Büchern etc 
gefunden. Auch der Innenaufbau von gängigen Treiberbausteinen ist ja oft 
mit solchen MOSFET-Brücken realisiert. Baue ich so etwas jedoch mit LT 
Spice nach, dann habe ich im Umschaltmoment immer für einen kurzen 
Moment einen Kurzschluss, in dem natürlich viel Strom fließt. Wieso 
passiert das bei den fertigen Treiber-Bausteinen nicht? Oder muss ich 
noch eine Signal-Verzögerung vorsehen?

Viele Grüße,
Sven

[MaWin (Gast)]

> Wieso passiert das bei den fertigen Treiber-Bausteinen nicht?

Das passiert dort auch.
Nennt sich shoot thru.
Und damit es eben nicht passiert, achtet man auf
"den einen ausschalten bevor man den andern einschaltet",
per ansichtlichem turn on delay.

Das machen H-Brückentreiber-ICs von alleine.
Man muss sie aber passend aussuchen, damit die Zeit zu
den MOSFETs passt.
IR2110 sehr schnell, HIP4080A einstellbarer turn on delay.

[Sven (Gast)]

Achso okay, da ist also eine Verzögerung eingebaut. Hatte mal ein 
Treiber-Datenblat überflogen, aber nichts darn gefunden. Vielleicht ist 
mein Englisch auch zu schlecht als das ich es auf Anhieb gefunden habe. 
Wie ist so eine Verzögerung denn aufgebaut? Mit einem RC-Glied?

[Al3ko -. (al3ko)]

Nennt sich deadtime.


BTW: Welcher SiC-Bipolartransistor?

Gruß

[Sven (Gast)]

Okay, danke, das hilft mir schon mal...