Avalanche Current MOSFET Reihenschaltung

[Lukas (Gast)]

Ich hab MOSFETs in Reihenschaltung für eine rein kapazitiv belastete 
Halbbrücke im Einsatz, um die Gesamtkapazität zu verringern. Maximal 
schalte ich damit ca. 1.5x Vds mit je zwei FETs oben und unten.
Ich wollte jetzt mal kurz in die Runde fragen, ob das Probleme gibt, 
wenn die Spannung schlecht auf die einzelnen in Reihe geschalteten FETs 
verteilt ist und einer wegen Überschreitung der Vds in den Avalanche 
geht. Laut Datenblatt ist der erlaubte kontinuierliche Avalanche Strom 
bei meinen Schaltfrequenzen nicht (<1%) überschritten und bei jedem 
Umladen der Brücke sollten maximal (C*Vgs^2)/2 mit C <= Ciss eines 
einzelnen FETs an Peak Avalanche Energie anfallen oder?
Sind MOSFETs, die Avalanche tauglich sind, dafür ausgelegt in 
Reihenschaltung ihre Spannungen durch Avalanching selbst aufzuteilen? 
(Es scheint zu funktionieren, habs schon am laufen, aber ich wollte mal 
fragen, ob das auch gängige Praxis ist).
Danke, Lukas