Hallo, ich plane grade für einen Freund eine Bootssteuerung basierend auf einen µC. Die Schaltung an sich, ist über die hier auf der Seite gezeigten Schutzschaltung gegen Transienten gesichert. Ich will einige Ausgänge zur Verfügung stellen die nach Masse schalten um z.B. Relais zu betreiben (Transistoren). Wie muss ich die Transistoren (die nach Masse schalten) schützen, damit diese durch die Transienten nicht zerstört werden? Reicht es eine TVS zwischen Kollektor und Emitter zu schalten? Es wäre auch möglich, dass ich die gefilterten 12V auf der Platine nehme, um dann 12V zum Schalten rausgebe. Darauf würde ich jedoch gerne verzichten, um den Strom auf der Platine lieber über GND abzuleiten. Hab heute schon einige Zeit gesucht und keine klare und eindeutige Aussage gefunden (vllt war ich auch einfach zu Blind). Grüße Dennis
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Hallo Dennis, eigentlich reicht es das Relais mit einer Diode zu beschalten. Damit wird der Ausschaltimpuls unterdrückt. In Schaltnetzgeräten haben die MOSFET schon eine Ableitdiode integriert. Es ist aber immer angesagt die Stromwege der Ableitungen so kurz wie möglich zu halten. Gruss Klaus.
Hallo Klaus, mir geht es nicht um die Induktion der Spule. Das dort eine Freilaufdiode eingebaut werden muss ist mir klar. Mir geht es um die Störungen die auf dem Bordnetz drauf sind wenn der Motor und damit auch der Generator läuft. Die dabei eventuell auftrettenden Transienten könnten den Transistor zerstören. (z.B. Transistor bis 30V und eine Transiente von +100V oder -100V) Grüße Dennis
Hallo Dennis, dann musst Du ein paar Dioden mehr spendieren. Dabei sollte man mit den Maßnahmen möglichst nahe am Verursacher beginnen. Für das Grobe wäre dies etwas: http://www.reichelt.de/Bauelemente/2/index.html?ACTION=2;GROUPID=3000;SEARCH=%FCberspannung Die gibt es auch bidirektional. Gruss Klaus.
Hi >Die dabei eventuell auftrettenden Transienten >könnten den Transistor zerstören. (z.B. Transistor bis 30V und eine >Transiente von +100V oder -100V) Warum keine passenden Treiber/Schalter: http://www.infineon.com/cms/en/product/automotive-ics/smart-high-and-low-side-switches/hitfet-tm,-tempfet-tm-smart-low-side-switches/channel.html?channel=ff80808112ab681d0112ab69de540349 http://www.infineon.com/cms/en/product/automotive-ics/smart-high-and-low-side-switches/profet-tm-smart-high-side-switches/channel.html?channel=ff80808112ab681d0112ab69e2d40357 MfG Spess
Ein Teil wird später über solche Treiber/Schalter betrieben. Jedoch gibt es auch einen kleinen Teil der per Relais geschalten wird. Daher müssen diese Ausgänge geschützt werden. @Klaus: Das war meine Frage ob es reicht parallel zu C-E eine TVS Diode zu platzieren Oder muss die Basis in irgentweiner Weise noch geschützt werden?
Hallo Dennis, wenn wirklich so kritisch werden kann, dann würde ich neben Emitter-Kollektor auch die Basis-Emitter-Strecke schützen. Allerdings sollte man sich vorrangig Gedanken darüber machen wie die Störungen an der Quelle zu mindern sind. Bei einem Relais ist das ja nicht so schwierig. Dann sollte man sich um die Versorgungsspannung kümmern. Sie sollte auch höhere Frequenzen ableiten können. Die Basis-Emitter-Strecke ist dabei wohl das letzte Glied. Beim Layout der Schaltung kann man auch schon einiges falsch machen. TI hat zu diesem Thema etwas herausgebracht, dass zumindest Denkanstösse liefern sollte. "Ringing Reduction Techniques for NexFETTM High Performance MOSFETs" http://www.ti.com/lit/an/slpa010/slpa010.pdf Gruss Klaus.
Relais und Halbleiter: Für ein Relais braucht man nicht immer die Freilaufdiode, die hier gerne und immer und oft erwähnt wird. Manchmal reicht auch eine Abflachung der Flankensteilheit des Schaltsignales. Letzteres verzögert sogar die Abfallgeschwindigkeit des Relais nicht so sehr, wie ein Kurzschluß mit der Freilaufdiode. Die Freilaufdiode bewirkt ja eine weitere Haltezeit des Relais, es fällt nicht sofort mit dem Abschaltsignal auch ab. Das habe ich aus einer Schaltung mit Transistor, womit man KFz-Zündspulen zum Funken an der Sekundärseite erregt. Eine Freilaufdiode würde dort den Zündfunken sofort eliminieren. Auf der Primärseite treten aber auch Spannungen im kV-Bereich auf. Man hat aber nicht immer einen Transistor, der 1,7kV Sperrspannung verträgt, auch wenn man den so hoch wählen sollte wie möglich. Also macht man die Abschaltflanke weicher, und kann auch mal einen simplen 2N3055 verwenden. Die Schaltflanken beeinflußt man dann an der Basis des Transistors mit RC-Gliedern, dort sind die Bauteildimensionen kleiner als an der Leistungsseite.
Hi >Jedoch gibt >es auch einen kleinen Teil der per Relais geschalten wird. Daher müssen >diese Ausgänge geschützt werden. Rate mal wofür diese Treiber gemacht werden? Die müsse diese http://www.datasheetarchive.com/AN553%2F1292-datasheet.html# (erstes Dokoment) Bedingungen aushalten. Fraglich, ob du für deine Transistoren einen besseren Schutz hinbekommst. MfG Spess
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