[S] GaAs Fet Transistor mit kleiner Rauschzahl und möglichst großer Gatefläche

[Ludger (Gast)]

Hi,
wie der Titel schon sagt, suche ich einen GaAs Fet Transistor mit 
möglichst kleiner Rauschzahl und möglichst großer Gatefläche. Es würden 
auch Dual Gate Fet funktionieren bei denen man das Gate zusammen 
schließt.
Die Frequenzen sind in der Anwendung eher im kleinen Bereich für GaAs 
Fets, also 1GHz reicht vollkommen aus.

Bis jetzt bin ich bei Avago und CEL fündig geworden.
Der Fet mit der größten Gatefläche den ich bis jetzt gefunden habe ist 
der
NE3508M04 von CEL.

Hat jmd. noch weiter vorschläge an Fet Typen oder kann mir Hersteller 
sagen, bei denen ich Suchen/Anfragen kann?

Mfg :)
Ludger

[Winfried J. (Firma: Nisch-Aufzüge) (winne)]

widersprechen sich da nicht ein paar Anforderungen?

Gatefläche <> Rauschzahl ?

[Ludger (Gast)]

Mh, reduziert sich nicht das 1/f rauschen mit der Gatefläche?

[Winfried J. (Firma: Nisch-Aufzüge) (winne)]

und wie verhält sich das mit dem statistischen auftreten spontaner 
ladungsverschiebungen ?

Fehlerfortpflanzungsgesetz....

[Ludger (Gast)]

Zugeben ich bin noch nicht mal annähernd durch das Thema durchgestiegen. 
Aber es geht jetzt nicht mehr um die Gatefläche, sondern um die 
Gatelänge, die dann den Drainstrom reduziert, was bei relativ niedrigen 
Frequenzen bei uns das Rauschen reduziert.