Probleme IR2110 Halbbrücke - Vs Undershoot

[Beni S. (charlybrown)]

Hallo,

ich habe eine Halbrücke mit dem IR2110 und zwei IGBTs aufgebaut.
Schaltung siehe Anhang.

Die Spannung am Vs Pin geht bei der Umschaltung von pos. zu neg.
Zwischenkreisspannung in den negativen Bereich. Laut Datenblatt sind nur
-5V an diesem Pin erlaubt.

Die High Side IGBT ist mit kurzer Verbindung zum Low Side IGBT
verbunden. Somit sollten die parasitären Induktivitäten gering sein.

Im Anhang ein Bild vom Vs Pin (nur unter Teil des Signals dargestellt).
Die negative Spannung ist bei Spannungen bis ca 150V nur ca -5V (wie im
Bild). Bei höheren Spannungen werden die Spitzen immer größer, bis der
IR2110 und die IGBTs kaputt sind.

Welche Ursachen hat diese negative Spannungsspitze? schlechte Diode?
Induktivitäten?

Danke im Voraus.

mfg

[Helge A. (besupreme)]

Ist das der belastete Fall? - Überprüfe die Einschaltzeit und die 
Durchlaßspannung bei dem Strom, der fließt. - Vielleicht macht es Sinn, 
ein wenig Leistung über nen Snubber zu verbraten (ich weiß das schmerzt) 
;)

[Gregor B. (Gast)]

Da gibts auch was von International Rectifier:
http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt97-3.pdf

[Beni S. (charlybrown)]

Die negativen Spitzen treten im belasteten Fall sowie im Leerlauf auf. 
Jedoch bei Belastung mit einem Motor (Stufen 3 phasig vorhanden) werden 
die neg. Spitzen ab ca. 160V immer größer, vorher sind sie so wie im 
Bild.

Snubber hab ich bereits eingebaut, da ohne diese die Überschwinger zu 
groß sind.

Den Design Tip von IR habe ich auch bereits gelesen. Jedoch der Vs 
Undershoot wie im DT dargestellt, ist ein viel spitzerer Verlauf, bei 
mir bleibt die Vs Spannung längere zeit im negativen Bereich.

[DB2ZN (Gast)]

Das einzige das mir auffällt ist D3 sie ist nicht wie D7 auf Gnd_iso 
geschaltet. Ist Q1 geschalten liegt die volle Spannung im Gatekreis von 
Q1 an was wahrscheinlich zum Ausfall von U1 und Q1 führt