Guten Abend euch allen, ich bin grad voll am verzweifeln, es geht um die Dimensionierung des Kühlkörpers für den MOSFET BUZ11. http://www.radiotechnika.hu/images/BUZ11.pdf Ich hoffe ihr könnt mir ein wenig weiterhelfen mit den Formeln, hab auch schon gegoogelt doch immer kommt etwas anderes als Ergebnis heraus. Der Mosfet muss 60W vertragen können, jedoch dabei gekühlt werden. Ich danke euch schon im Vorraus. LG Thomas
>Der Mosfet muss 60W vertragen können, jedoch dabei gekühlt werden.
Vertragen oder schalten können? Da ist ein riesen Unterschied.
Herstellerangabe für TthJC = 1,6 K/W Für den Übergang zum Kühlkörper nehmen wir mal 0,4k/W an Macht zusammen 2K/W Maximale Junction Temperatur = 150 °C Umgebungstempertaur ist unbekannt (weisst nur du) Aber nehmen wir mal 40 Grad an Dann bleiben dir 150-40 = 110 K Bei 60W Verlustleistung muss die Erwärmung also unter 110 K bleiben. Uuups: 60W * 2K/W = 120K.. erlaubt sind aber nur 110K. Bei 20 Grad umgebungstemperatur wären es 130K und du würdest schon einen riiichtig fetten Kühlkörper brauchen.. Die im Datenblatt Angegebenen 75W max sind mit einem Derating-Faktor versehen. Je wärmer, desto weniger Pmax nach überschlägiger Rechnung würde ich sagen: Unter normalen Umständen kannst du mit dem Teil keine 60W verheizen. Egal mit welchem Kühlkörper
danke das du deine zeit für diese Berechnung geopfert hast, es hat mir sehr viel geholfen. ich hätte nur eine frage, hab auch die schaltung hochgeladen....was hälst du davon wenn ich einen zweiten Mosfet dazuschalte und die Kühlung besser verteilen?? dann würde sich das auch nach deiner Rechnung ausgehen können un bräuchte nicht so große kühlkörper. siehe Anhang danke nochmal LG Thomas
Aha, eine 16V-Hochleistungs-Z-Diode. Lass mal die Gate-Widerstände weg und schalte in die Source-Leitungen Widerstände, an denen ein paar Volt abfallen.
> was hälst du davon wenn ich einen zweiten Mosfet dazuschalte > und die Kühlung besser verteilen?? Dann braucht man Stromverteilungswiderstände an denen eine erhebliche Spannung abfällt (so 4V bei Nennstrom) denn wenn man MOSFETs direkt parallel schaltet, verteilt sich der Strom nicht gleichmässig.
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