Infineon PMOS in LTSpice einbinden, bitte um Hilfe

[Manfred MOSFET (Gast)]

Hallo zusammen,

ich versuche gerade ein Infineon PMOS Modell in eine LTSpice Simulation 
einzubingen. Stoße hierbei aber auf die Fehlermeldung im Anhang.

Komme leider allein nicht weiter.
Kann mir jemand sagen was ich falsch mache?

gruß Manfred

[Helmut S. (helmuts)]

Hallo Manfred,

Diese Modelle haben 5 pins. Die extra Pins sind für die 
Sperrschichttemperatur Tj und die Gehäusetemperatur Tcase. An den Pin 
Tcase muss man eine Spannungsquelle mit dem 
Innenwderstand(Wärmewiderstand) anschließen.

.SUBCKT IPB70P04P4L-08 drain gate source Tj Tcase PARAMS: dVth=0 
dRdson=0 dgfs=0 dC=0 Zthtype=0 Ls=2n Ld=1n Lg=4n

Am besten du nimmst für diese 5-pin Mosfest meine Symbole xpmos5.asy und 
xnmos5.asy. Einfach die Symbole xpmos5.asy bzw. xnmos5.asy in das 
Verzeichnis des Schaltplanes kopieren. Damit hast du immer die 
benötigten Symbole in dem Schaltplanorder. Wenn du zehn Designs hast in 
zehn Ordnern, dann kopiere diese Symbole in jeden Ordner in dem du so 
einen 5pin Mosfet brauchst. Das hört sich zwar nach ein bisschen Aufwand 
an, aber es zahlt sich über die Jahre aus.

Gruß
Helmut

[Manfred MOSFET (Gast)]

Danke erstmal Helmut für deine schnelle Hilfe. Die Simulation läuft 
jetzt soweit.

Zwei Sachen sind mir jedoch noch nicht ganz klar:

1.
"An den Pin Tcase muss man eine Spannungsquelle mit dem 
Innenwderstand(Wärmewiderstand) anschließen."

Das ist Vermutlich der Rth junction ambient der bei dem Bauteil 62 K/W 
beträgt oder?

2. Wo hast du folgende Zeile her, und was sagt diese aus?
(Ich habe bisher noch nicht viel mit Parametern von Spice Modellen zu 
tun gehabt)
.SUBCKT IPB70P04P4L-08 drain gate source Tj Tcase PARAMS: dVth=0
dRdson=0 dgfs=0 dC=0 Zthtype=0 Ls=2n Ld=1n Lg=4n

.SUBCKT erstellt einen Subcircuit habe ich gelesen, aber den genauen 
Sinn dahinter habe ich noch nicht erkannt.

gruß Manfred

[Helmut S. (helmuts)]

> Das ist Vermutlich der Rth junction ambient der bei dem Bauteil 62 K/W

Laut Datenblatt wäre es 62-2=60°/W oder 40-2=38°/W. Ich habe halt einen 
Mittelwert gebildet (50).


>.SUBCKT IPB70P04P4L-08 drain gate source Tj Tcase PARAMS: dVth=0
dRdson=0 dgfs=0 dC=0 Zthtype=0 Ls=2n Ld=1n Lg=4n

Die Zeile steht in deinem Lib-File von Infineon. Da sind alle Modelle 
als Sunbcircuit definiert. Die erste Zeile beschreibt das "Interface".

.subckt name pin1 pin2 ... pin5 PARAMS: hier kommen 
Parameter(Konstanten)

[eProfi (Gast)]

Ich war kürzlich im LTspice-Seminar. Da ging es genau um die Frage, wie 
man fremde PowerFet-Spice-Modelle einbindet.

Die Antwort von Meister Mike: am besten gar nicht.
Grund: die Mosfets werden als J-Fets abgebildet, dabei gehen 
grundlegende Eigenschaften wie Miller-Effekt etc. nicht ein.
Deshalb hat er eigens ein Modell entwickelt, das diese Effekte 
unterstützt. Leider geht das nur mit den in LTspice vorhandenen Typen, 
deshalb soll man den aus den vorhandenen  mit den ähnlichsten Daten 
verwenden.

In der Mittagspause hatte ich die Ehre, beim Essen neben ihm zu sitzen, 
und habe ihn ein wenig näher kennengelernt: ein Phänomen - klare Denke 
und klasse Erklärungen.  Wenn man ihm eine noch so komplizierte Frage 
stellt, denkt er 2 - 5 Sekunden nach und gibt dann eine gestochene 
Antwort.

Respekt!

[Helmut S. (helmuts)]

> Die Antwort von Meister Mike: am besten gar nicht.

Also ich war in Sindelfingen dabei.

Allerdings habe ich da eine andere Meinung zu den Mosfet Modellen der 
Hersteller. Die meisten Modelle sind recht brauchbar. Die Simulation 
dauert halt länger. Wenn ich einen Mosfet nicht in der List von LTspice 
finde, dann nehme ich das Modell vom Hersteller. Nur die meisten Modelle 
von Infineon, die praktisch nur aus hundert Gleichungen bestehen statt 
klassischen Spice-Elementen, machen richtig Konvergenzprobleme. Die sind 
in LTspice praktisch nicht verwendbar.