Gate-Vorwiderstand

[Bernie (Gast)]

Eine vielleicht übervorsichtige Frage:

Ich will mit einem AVR (Ub = 5 V) Kleinleistungs-MOSFETs,
wie BS170 / BS250 ansteuern.

Um unkontrollierte Zusände zu vermeiden, werde ich
Gate-Pull-Up/Down-Widerstände von z.B. 47 kOhm einbauen.

Welche Nachteile könnt ihr euch vorstellen, wenn ich auf
Gate-Vorwiderstände verzichte?

[Markus (Gast)]

Diese FETs schalten dir aber nicht voll durch mit 5V. Dazu solltest du
Logik-Level FETs vorsehen.

Siehe auch:
http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht

Wenn schon, würde ich 4.7 - 10k Pull-Down Widerstand nehmen (einiges 
kleiner als die interen Pull-Ups). Dass bei einem Reset sicher 
abgeschaltet ist (beim N-FET).

Das ist aber kein Gate-Vorwiderstand). Ein Gate-Vorwiderstand braucht es 
hier nicht.

[User (Gast)]

- schnelles Schalten verursacht mehr Störungen
- der µC wird gleich mit-gegrillt, wenn der FET auf eine bestimmte Weise 
durchbrennt

[Bernie (Gast)]

Danke schon mal!

Die FETs sollen nur 75 mA schalten. Mit <= 10 Ohm On-Resistance
kann ich dabei leben Ich brauche eben ETWAS mehr Strom, als ein
µC-Port liefert.

Die internen Pull-Ups sind ein guter Hinweis! Allerdings wäre
es ja meine Dusseligkeit als Programmierer, wenn die aktiviert
würden.

Gibt es weitere Einwände, oder Warnungen?

[W.S. (Gast)]

Schalte in jede Gate-Leitung einen Strombegrenzungswiderstand. Das ist 
mein Rat. Der Grund dafür ist, daß jeder Fet eine nennenswerte 
Gate-Source-Kapazität hat und die will vom Port-Pin umgeladen werden. 
Deshalb sollte man den Umladestron soweit begrenzen, daß dadurch 
Störungen auf den GND und VCC Anschlüssen des µC soweit begrenzt werden, 
daß sie den µC nicht aus der Bahn werfen.

So als groben Daumenwert würde ich bei vernünftigem Layout und 
ordentlichen Abblock-Kondensatoren an VCC vorschlagen, als 
Strombegrenzung 220 Ohm zu nehmen.

W.S.