Schaltzeit für Leistungs-FET in Abhängigkeit d. Temp. bestimmen (nicht periodisches schalten)

[Henrik P. (henrik84)]

Hi zusammen,

ich möchte die maximal mögliche Schaltzeit eines einzelnen 
Schaltvorgangs für einen Mosfet[1] bei einer bestimmten Temperatur 
herausfinden.

Die Energie, die beim Schalten in Wärme umgewandelt wird, kann ich ja 
herausfinden, indem ich die Leistung über den Schaltvorgang integriere - 
in einem Beispiel bei 10us Schaltzeit und 600V/150A, die geschaltet 
werden, komme ich auf ca. 22mJ.

Ich finde im Datenblatt allerdings keine entsprechenden Angaben, wie ich 
mit diesem Wert die Erwärmung des FET bestimmen kann. Mit den 
Wärmewiderständen komme ich ja nur weiter, wenn ich periodisch schalte, 
so kann ich über die periode die mittlere Leistung berechnen und damit 
über den Wärmewiderstand die Erwärmung des Transistors.

Wie geht man da normalerweise vor? Rechnet man sowas nur über 
periodische Schaltvorgänge aus oder übersehe ich da was im Datenblatt?

Ich wäre echt dankbar, wenn mir hier jemand auf die Sprünge helfen kann.

Viele Grüße
Henrik

[1] 
http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/DM00048681.pdf

[Achim_42 (Gast)]

Wenn Du im Datenblatt keine so detaillierte Werte findest und die 
Junction Temperatur messen willst, so geht das auch über das Vermessen 
der Flussspannung der parasitären Bodydiode. Die ist abhängig von der 
Temperatur.

1. Fet auf max. Junction Temp aufwärmen. Flusspannung messen.
2. Fet mit Puls beaufschlagen und unmittelbar (wenige ms) danach die 
Flussspannung wieder messen.