Hallo Leute, ich möchte einen MOSFET verbauen bin mir aber gerade bei folgender Angabe total unsicher. Ich schreib einfach mal was ich denke, wenn ich da falsch liege berichtigt mich einfach. V(GS) ist die Spannung die ich an das Gate anlegen muss (Source ist auf Potential 0) damit der MOSFET leitend wird (Enhancement FET). Nun habe ich das hier in eurem Wiki gefunden als Beispiel angaben. Gate-Source Threshold Voltage V_GS(th) 2,0-4,5V Gatespannung, ab welcher der Transistor minimal leitend wird (I_D typisch 100-200µA), große Toleranz, typisch 1:2 zwischen Minimum und Maximum 1.)ab 2,0-4,5V wir der FET minimal Leitend? oder 2.)ab 2,0V wird er minimal Leitend und über 4,5V kann es dem FET beschädigen? Mir ist bewusst das die Volt zahlen je nach FET schwanken aber ich frage mich was die MIN und MAX werde bei V(GS) bedeuten. Hab dazu für mich nicht ganz eindeutige Informationen bisher gefunden. Vielen Dank, mfg Nel
@ Nel (Gast) >Gate-Source Threshold Voltage V_GS(th) >2,0-4,5V Gatespannung, > ab welcher der Transistor minimal leitend wird (I_D typisch 100-200µA), >große Toleranz, typisch 1:2 zwischen Minimum und Maximum >1.)ab 2,0-4,5V wir der FET minimal Leitend? >oder Ja. >2.)ab 2,0V wird er minimal Leitend und über 4,5V kann es dem FET >beschädigen? NEIN! >Mir ist bewusst das die Volt zahlen je nach FET schwanken aber ich frage >mich was die MIN und MAX werde bei V(GS) bedeuten. Das sind die Grenzen, verursacht durch die Produktionstoleranzen. Ein MOSFET ist vielleicht schon ab 2V minimal leitend, ein anderer erst ab 4,5V. Unter 2V sind sie sicher gesperrt, über 4,5V fangen sie sicher gut zu leiten an. Ein MOSFET verträgt am Gate meist +/-20V, viele auch +/-30V.
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