Hi, ich begreife bei der Schaltung nicht, warum i_1 = g_m v_id/2 ist? Wie kommt man darauf? Das gleiche gilt für die Schaltung, wenn man sie durch MOSFET's ersetzt, da habe ich auch ein kleinsignal ESB. Gruss Bert
Wiel sich Vid auf T1 und T2 aufteilt. Jeder bekommt die Hälfte.
Das mit der Spannung ist mir klar. Ich sehe aber nicht, wie man auf die Beziehung von i1 kommt. Man müsste das ja auch aus dem kleinsignal ESB bekommen?
g_m ist die Steilheit (Transkonduktanz) des Transistors, v_id/2 die Basis-Emitter-Spannung und i_1 (der Kollektorstrom) das Produkt aus beiden.
Das verstehe ich leider immer noch nicht, die Beziehung zwischen i1 und vbe ist doch exponentiel? Gm gibt nur das Verhältnis von ic zu Vt der thermischen Spannung an? Für die Ströme aber gilt doch ic ist beta*ib
Wenn ein Kleinsignalersatzschaltbild LINEARISIERT ist, wie kommst du dann auf einen exponentiellen zusammenhang?
Ok, ja stimmt, danke, dann sollte man das aber auch direkt aus dem kleinsignal-ESB sehen, oder? Gruss Bert
In deinem Mosfet Kleinsignal-Ersatzschaltbild fehlt der "Widerstand" 1/gm3 parallel zu ro3. Korrigiere das bitte.
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