Habe hier ein älteres YHi 898 Netzteil, das ist als Sperrschwinger aufgebaut. Der Ausgang hat 12V und 1,25 A. Üblicherweise bleiben solche Netzteile ja kühl, nur bei diesem Ding wird der Schalt-FET (4N60) ziemlich heiß, besonders im Leerlauf! Es geht mir hier nur um das Verständnis, ich will also wissen warum das so ist. Deshalb habe ich mal meinen Oszi an die Anschlüssen vom FET gehalten und gesehen, dass der FET schon anfängt durchzuschalten, obwohl das Gate noch keine Spannung erhält!!??? Die obere Kurve ist die Spannung am Drain, die untere vom Gate, der Bezug ist Source. Hat Irgendjemand eine Idee, oder seh ich den Wald vor Bäumen nicht???
Angehängte Dateien:
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Oszi-Sperrwandler.jpg
140 KB
Der Abfall der Spannung am Drain (oberer Kreis) wird davon verurscht, das der Übertrager seine Energie komplett abgegeben hat, die Spannung am Übertrager wird zu Null (Primär- , und Sekundärseitig), gerade bei kleiner Last wird nur wenig Energie in den Übertrager 'geladen'. Zeichne Dir mal (gedacht) die Versorgungsspannung in das Oszi-Bild ein. Dann wirst Du feststellen, daß die Spannung, vor diesem Abfall, über der Betriebsspannung liegt. Bei einem Sperr-Wandler polt die Spannung, am Übertrager, um, wenn der Schalttransistor öffnet, deshalb muss dieser auch deutlich spnnungsfester sein, als es die Betriebsspannung vermuten ließe. Von diesem Abfall kommt die Erwärmung nicht, der Transistor führt da noch keinen Strom. Das Signal am Gate ist aber nicht so toll, wohl aber für diese Schaltung normal. Da, wo der Anstieg der Gate-Spannung kurz 'innehält', ist der Transistor im linearen Betrieb, da wirkt der Abfall der Drain-Spannung auf das Gate zurück, und verhindert einen zügigen Anstieg der Gate-Spannung. Eine stärkere (Mehr Gate-Strom) Treiber-Schaltung kann diese Zeit verkürzen. Dann wird die Flanke der Drain-Spannung steiler. Nachteil: Größere Störabstrahlung, da müssen oft Kompromisse eingegangen werden, die die Verlustleistung in die Höhe treiben. Mit freundlichem Gruß - Martin
Die Messung von Vds vs Vgs ist schon mal eine sehr sinnvolle Vorgehensweise. Nicht klar ist, ob sich bei diesem Netzteil etwas verschlechtert hat, oder ob das schon immer so war. Ein untrügliches Indiz für Umschaltverluste sind die waagerechten Miller-Plateaus der gate-Spannung (bei ca +4V). Und zwar sowohl beim Ein- als auch beim Ausschalten. Ein sichtbares Miller-Plateau zeigt untrüglich, dass der MOSFET durch den linearen Bereich fährt - also verlustbehaftet schaltet. Je länger das Plateau, desto höher sind diese Schaltverluste. Es sieht also so aus, als ob die Ansteuerung zu schlapp ist, das gate schnell genug zu schalten - möglicherweise verursacht durch einen zu hohen gate-Vorwiderstand.
Danke Martin, danke Marc, das leuchtet mir beides ein. Bei diesem Netzteil war das schon immer so. Das Design ist wohl nicht so doll. Werde mal neue Messungen machen und mich mehr auf die Gateansteuerung konzentrieren.
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Bearbeitet durch User
Wie hast Du denn die beiden Lissajous-Figuren erzeugt? ;-)) *Aua! nicht hauen!* https://de.wikipedia.org/wiki/Lissajous-Figur MfG Paul
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