statisch angesteuerter Half-bridge gate driver

[Michael G. (michael_gue)]

Hallo zusammen,

ich durchdenke gerade folgende Frage:
Ist es möglich, einen Half-bridge-gate driver ( IRS2304) mit 
nachgeschalteter MOSFET-Endstufe (siehe Bild) ohne bootstrap-Schaltung 
derart zu betreiben, dass an den Eingängen des Treibers beliebig lange 
Schaltzeiten für HIN oder LIN anstehen dürfen und der entsprechende 
MOSFET den Lastanschluß entsprechend zum positiven Versorgungsanschluß 
oder nach Masse schaltet (entsprechende Schutzschaltung im Treiber für 
Nicht-Gleichzeitiges Einschalten beider MOSFETS vorhanden)?

In einem irf-appnote 
(http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf) lese ich, dass 
man den normalerweise pulsmoduliert anzusteuernden Bootstrap-Teil nur 
mit einer isolierten Spannung begegnen kann:

If an isolated supply is connected between VB and VS, the high-side 
channel will switch the output (HO) between the positive of this supply 
and its ground in accordance with the input command.

Kann man das auch einfacher bewerkstelligen? Z.B., wenn man in VB eine 
höhere Spannung als VCC einspeist und VS auf ein entsprechend höheres 
Potenzial als 0V (aber beide Potenziale mit Bezug zu den System 0V) 
legt?

Mein Ziel ist - wie gesagt - die beiden Treibereingänge mit beliebig 
langen Schaltzeiten steuern zu dürfen.

Grüße,
Micha.

[Michael G. (michael_gue)]

Hallo zusammen,

Lösung gefunden! Letzter Beitrag dieses Links:

http://forum.allaboutcircuits.com/threads/external-charge-pump-for-high-side-mosfet-driver.29009/

und dazugehöriger Schaltplan:

http://forum.allaboutcircuits.com/attachments/control-box-ver-1-4b-power-gif.13110/

Habe es auf meinem "Brotbrett" aufgebaut. Funzt einwandfrei :-)

Grüße nochmal,
Micha.