n - channel MOSFET drain und source

[Manuel H. (redguy)]

Hallo zusammen!

Da ich im Moment eine nmos SRAM Zelle bauen möchte,
stellt sich mir die Frage wie man einen n-Channel MOSFET ansteuern muss,
damit source und drain vertauscht werden können.

Wie man in dem Bild (Anhang) von Wikipedia erkennen kann, muss die 
Richtung source und drain scheinbar irrelevant sein.

Wie kann man das erreichen ? Oder habe ich da etwas falsch verstanden ?



Grüße

Manuel Hofmann

[karadur (Gast)]

Was machst du mit der Bodydiode ?

[Christian L. (cyan)]

Source ist ja bei einem idealen N-MOS in erster Linie der Anschluss, der 
mit Bulk verbunden ist.
Du könntest also z.B. einen N-Mos, wie den BSS83 nehmen. Bei dem ist der 
Bulk-Anschluss gesondert herausgeführt. Somit sind Drain und Source 
vertauschbar.

[karadur (Gast)]

Ergänzung das Substrat ist bei einem FET mit S verbunden.

Bei einem Chip mit dem negativsten Potential.

[Yalu X. (yalu) (Moderator)]

Diskrete Mosfets, bei denen Bulk nicht mit Source verbunden ist, sind
schwer zu bekommen. Genau solche brauchst du aber für das Durchschalten
der beiden Bit-Leitungen (Bulk wird dabei auf GND gelegt). Der CD4007
enthält die benötigten zwei Stück in integrierter, aber von außen
zugänglicher Form. Er enthält zusätzlich einen N-Mosfet mit intern
verbundenem Bulk. Den kannst du als die eine Flipflop-Hälfte verwenden,
für die zweite Hälfte nimmst du am besten einen diskreten Mosfet.

[Manuel H. (redguy)]

Hallo !



Danke für die super Antworten!

Nun weiß ich alles!


mfg

Manuel